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单颗大功率LED灯制造技术

技术编号:4971427 阅读:307 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
单颗大功率LED灯,属于光电技术领域。竖立设置的基板表面设置软性电路层,基板顶部配合设置大功率LED芯片,大功率LED芯片通过金线与软性电路层电路连接,基板中部设置穿透的通孔,通孔中穿接设置镀银铜棒,镀银铜棒顶部与大功率LED芯片底部触接配合,基板外部配合设置灯罩套,灯罩套与基板之间的空腔中填充树酯体封装配合。上述单颗大功率LED灯,能有效而快速的传热散热,使大功率LED可长时间正常工作,不会因温度升高而老化光衰,延长了产品的使用寿命;并在基板外部配合设置灯罩套制成6mm的LED灯,有效发光面积大,适用于制作高亮度、高清画面的特大尺寸LED屏幕产品,其显示效果好,产品质量稳定、可靠。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

单颗大功率LED灯駄领域本技术属于光电
,具体为单m^:功率LED灯。背景脉传统的LED灯以铝 作为支架,虽然生产成ffi低,但铝 仅能使用于0. 25瓦功率以下的LED产品,所发出光亮度等级只會继到300-500mcd, 一直停留在低层级小范围发光产品的应用,应用范围受局限;且热传导系数小,散热速度漫,影响产品的IOT寿命。
技术实现思路
针对现有技术中存在的Jtii问题,本技术的目的在于设计提供一种散热速度快的单颗大功率LED灯的技术方案,其发光亮度大,可长时间正常工作,{,寿命长。所述的单颗大功率LED灯,包括竖立设置的 , 表面设置软性电路层,基板顶部配合设置大功率LED芯片,大功率LED芯片通过金线与软性电路层电路连接,其特征在于繊中部设置穿透的通孔,通孔中穿接设置镀银铜棒,镀银铜棒顶部与大功率LED芯片底部触接配合, 外部配合设置灯罩套,灯罩套与 之间的空腔中填充树酯体封装配合。戶脱的单颗大功率LED灯,其特征在于戶脱大功率LED芯片的功率为lw。戶皿的单颗大功率LED灯,其特征在于所述的镀银铜棒为中部断幵的结构,上下两根棒体之间触接配合,上部的棒体与大功率LED芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
单颗大功率LED灯,包括竖立设置的基板(2),基板(2)表面设置软性电路层(7),基板(2)顶部配合设置大功率LED芯片(4),大功率LED芯片(4)通过金线(9)与软性电路层(7)电路连接,其特征在于基板(2)中部设置穿透的通孔(6),通孔(6)中穿接设置镀银铜棒(8),镀银铜棒(8)顶部与大功率LED芯片(4)底部触接配合,基板(2)外部配合设置灯罩套(1),灯罩套(1)与基板(2)之间的空腔中填充树酯体(3)封装配合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张荣民
申请(专利权)人:张荣民
类型:实用新型
国别省市:86[中国|杭州]

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