本发明专利技术涉及一种发光材料，所述发光材料为包含钆离子掺杂的氧化物和铝酸盐荧光体的混合物，所述钆离子掺杂的氧化物是在阴极射线激发下发出紫外光的钆离子掺杂的氧化物，所述铝酸盐荧光体的化学式为ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ。本发明专利技术还提供该发光材料的发光方法。本发明专利技术的发光材料具有发光效率高和发光均匀稳定性高等特点，可用在超高亮度和高速运作的发光器件上。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于发光材料
，尤其涉及一种。
技术介绍
平板显示器一直以来是人们不断追求发展的显示器件之一，场发射显示器就是 其中一种。20世纪60年代，Ken Shoulder提出了基于场发射阴极阵列(FEAs)阴极射 线微型装置的设想，于是利用FEAs设计和制造平板显示与光源器件的研究引起了人们的 极大兴趣。这种新型的场发射器件的工作原理与和传统的阴极射线管(CRT)类似，是通 过阴极射线轰击红、绿、蓝三色荧光粉发光实现成像或照明用途，该种器件在亮度、视 角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面均具有潜在的优势。制备优良性能场发射器件的关键因素之一是高性能低压荧光粉体的制备。目前 场发射器件所采用的蓝色荧光粉主要是硫化物系列荧光粉(如ZnS:Ag)和氧化物系列荧 光粉(如Y2Si05:Ce)。对于硫化物系列荧光粉ZnS:Ag来说，其发光亮度高，且具有一定 导电性，但在大束流阴极射线的轰击下容易发生分解，放出单质硫“毒化”阴极针尖， 并生成其他沉淀物覆盖在荧光粉表面，降低了荧光粉的发光效率，缩短了场发射器件的 使用寿命。对于氧化物系列荧光粉义&05:(^来说，它具有较高的稳定性能，被认为是 有希望替代ZnS:Ag的材料，但是，它的阴极射线发光光谱是一个宽谱，范围从380nm 600nm,发射主峰在420nm左右，而波长短于400nm的近紫外光发射对人的眼睛有害并 且对荧光粉的亮度贡献不大。目前的蓝色荧光材料主要沿用荧光灯中的蓝色荧光BaMgAl1(1017:EU，简称为 BAM荧光粉，作为代表性的蓝色荧光粉，它具有良好的稳定性能和宽的发射光谱，光谱 范围在400nm 550nm，光谱主峰在450nm左右。然而，BAM荧光粉的低压阴极射线 发光性能并不理想，发光效率不高，难以在场发射器件中得到很好的应用。
技术实现思路
有鉴于此，提供一种发光效率高的发光材料，以及一种能提高发光效率的发光 材料发光方法。一种发光材料，所述发光材料为包含钆离子掺杂的氧化物和铝酸盐荧光体的混 合物，所述钆离子掺杂的氧化物是在阴极射线激发下发出紫外光的钆离子掺杂的氧化 物，所述铝酸盐荧光体的化学式为BaMgAl1(1017:EU。以及，一种发光材料发光方法，其包括如下步骤将钆离子掺杂的氧化物混合入铝酸盐荧光体中，形成发光混合物，其中所述铝 酸盐荧光体的化学式为BaMgAl1(1017:EU ；及向钆离子掺杂的氧化物和铝酸盐荧光体混合物发射阴极射线，在阴极射线激发 下，所述钆离子掺杂的氧化物发射出紫外光，所述铝酸盐荧光体发射出蓝光，所述铝酸 盐荧光体还吸收钆离子掺杂的氧化物发射出的紫外光而发射出蓝光。在上述中，通过将钆离子掺杂的氧化物混入铝酸盐荧光 体中，形成发光混合物，其在阴极射线激发下，铝酸盐荧光体不仅能直接发出蓝光，而 且铝酸盐荧光体还能吸收钆离子掺杂的氧化物发射出的紫外光而发射出蓝光，从而大大 提高了铝酸盐荧光体的发光性能和发光效率。附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中图1是本专利技术实施例的发光材料发光方法流程图；图2 是实施例 1 中 BaMgAl10O17IEu 与 Y2 85Al5012:0.15Gd 按照质量比 0.11 1 混合后涂屏制成的荧光屏与涂有BaMgAl1(l017:EU的荧光屏在低压阴极射线激发下的发光光 谱对比图。图3 是实施例 2 中 BaMgAl10O17IEu 与 Y2 85Al5012:0.15Gd 按照质量比 0.25 1 混合后涂屏制成的荧光屏与涂有BaMgAl1(l017:EU的荧光屏在低压阴极射线激发下的发光光 谱对比图。图4 是实施例 7 中 BaMgAl1(1017:Eu与Y2.85Al5012:0.15Gd 按照质量比 0.43 1 混合后涂屏制成的荧光屏与涂有BaMgAl1(l017:EU的荧光屏在低压阴极射线激发下的发光光 谱对比图。图5 是实施例 9 中 BaMgAl1Q017:Eu 与 Y2.85Al5012:0.15Gd 按照质量比 0.66 1 混合后涂屏制成的荧光屏与涂有BaMgAl1(l017:EU的荧光屏在低压阴极射线激发下的发光光 谱对比图。图6 是实施例 11 中 BaMgAl1Q017:Eu 与 Y2.85Al5012:0.15Gd 按照质量比 1 1 混合后涂屏制成的荧光屏与涂有BaMgAl1(l017:EU的荧光屏在低压阴极射线激发下的发光光谱 对比图。图7 是实施例 12 中 BaMgAl10O17IEu 与 Y2 85Al5012:0.15Gd 按照质量比 1.5 1 混合后涂屏制成的荧光屏与涂有BaMgAl1(l017:EU的荧光屏在低压阴极射线激发下的发光光 谱对比图。以上各图中的阴极射线发光光谱的测试条件为电子束加速电压为1.5KV。 具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施 例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释 本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例的发光材料为包含钆离子掺杂的氧化物和铝酸盐荧光体的混合 物，所述钆离子掺杂的氧化物是在阴极射线激发下发出紫外光的钆离子掺杂的氧化物， 所述铝酸盐荧光体的化学式为BaMgAl1(1017:EU。在该发光材料的混合物中，钆离子掺杂的氧化物和铝酸盐荧光体的混合质量比 例为0.05 1 2 1，优选为0.1 1 1.5 1。另外，钆离子掺杂的氧化物和铝酸 盐荧光体的混合可以是物理混合，例如，相互分散的机械混合，主要为了使两者保有各 自发光功能，并且还可以是相互促进各自的发光性能，在两者混合后，钆离子掺杂的氧化物同样能发出紫外光，例如是波长峰值在315nm左右的窄带紫外光，BaMgAl1(l017:EU 铝酸盐荧光体同样能发出蓝光，而且还可同时吸收钆离子掺杂的氧化物发出的窄带紫外 光而发出蓝光，由此获得更高的发光性能，提高发光效率。在本专利技术的一个实施例中，该钆离子掺杂的氧化物是钆离子掺杂的石榴石体系 材料，该种钆离子掺杂的氧化物的化学表达式为Ah(AlhmGam)5CVxGd,其中，0.08 < x<0.2, 0<m<l, A 为 Y、La、Lu、Sm、Tb、Sc 中的至少一种。在本专利技术的另一个实施例中，该钆离子掺杂的氧化物是钆离子掺杂的氧化钇体 系材料。该种钆离子掺杂的氧化物的化学表达式为RE2_y03:yGd，其中0.05 < y<0.2 ； RE为Y、La、Lu、Sc中的至少一种。上述发光材料通常制成粉末状，以适量这种荧光粉末涂屏，形成荧光屏，可作 为各显示器的显示屏，例如场发射显示器、场发射光源或大型广告显示牌等产品中。请参阅图1，说明本专利技术实施例的发光材料发光方法，该发光方法包括如下步 骤SOl 将钆离子掺杂的氧化物混合入铝酸盐荧光体中，形成发光混合物，其中所 述铝酸盐荧光体的化学式为BaMgAl1(1017:EU ；S02 向钆离子掺杂的氧化物和铝酸盐荧光体混合物发射阴极射线，在阴极射线 激发下，所述钆离子掺杂的氧化物发射出紫外光，所述铝酸盐荧光体发射出蓝光，所述 铝酸盐荧光体还吸收钆离子掺杂的氧化物发射出的紫外本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光材料，其特征在于，所述发光材料为包含钆离子掺杂的氧化物和铝酸盐荧光体的混合物，所述钆离子掺杂的氧化物是在阴极射线激发下发出紫外光的钆离子掺杂的氧化物，所述铝酸盐荧光体的化学式为ＢａＭｇＡｌ↓［１０］Ｏ↓［１７］：Ｅｕ。
【技术特征摘要】
1.一种发光材料，其特征在于，所述发光材料为包含钆离子掺杂的氧化物和铝酸盐 荧光体的混合物，所述钆离子掺杂的氧化物是在阴极射线激发下发出紫外光的钆离子掺 杂的氧化物，所述铝酸盐荧光体的化学式为BaMgAl1(1017:EU。2.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述钆离子掺杂的氧化物是钆离子掺 杂的石榴石体系材料。3.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述钆离子掺杂的氧化物的化学表达 式为A3-X(AlhmGam)5O1^xGd,其中，0.08 < x《0.2，0<m<l, A 为 Y、La、Lu、Sm、 Tb、Sc中的至少一种。4.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述钆离子掺杂的氧化物是钆离子掺 杂的氧化钇体系材料。5.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述钆离子掺杂的氧化物的化学表达 式为RE2_y03:yGd，其中 0.05 < y<0.2 ； RE 为 Y、La、Lu、Sc 中的至少一种。6.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，马文波，唐晶，时朝璞，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94
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