【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电力电子领域，具体涉及一种IGBT保护电路。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有功率 MOSFET输入阻抗高、工作速度快、易驱动的优点，又具有双极达林顿功率管(GTO)饱和电压 低、电流容量大、耐压高等优点，能正常工作于几十KHz频率范围内，故在较高频率的大、中 功率设备(如变频器、UPS电源、高频焊机等)应用中占据了主导地位。现有电力电子变换装置，由于器件水平的限制，当单个IGBT的容量不满足功率要 求的时候，通常采用多路IGBT并联的方式使用，以提高耐压、耐流的等级。如图1所示为现 有技术的并联IGBT电路示意图，多路IGBT电路并联后与保护电路2、驱动单元1串联，所有 并联的IGBT电路共用一个保护电路；图2为现有技术的IGBT电路示意图，图中仅示出了其 中一条支路的示意图，保护电路为图中2所示，正常工作情况下当驱动单元1输出信号为 高电平，二极管Dl处于导通状态，电流由二极管Dl支路流过，IGBT实现了快导通；当IGBT 断开时，IGBT的门极电压高于图中A点的电压，二极管Dl处于截止状态，...
【技术保护点】
一种ＩＧＢＴ电路，包括：一驱动单元、ＩＧＢＴ；其特征在于：还包括保护电路；所述保护电路包括：开关单元、控制单元、熔断器、稳压二极管；所述开关单元的两端分别与驱动单元及熔断器相连，所述开关单元的控制端与控制单元相连，所述控制单元接收驱动单元的信号以控制开关单元的导通与断开，熔断器与ＩＧＢＴ的门极相连，稳压二极管的正端连接所述开关单元与熔断器的连接点，稳压二极管的负端连接ＩＧＢＴ的发射极。
【技术特征摘要】
1.一种IGBT电路，包括一驱动单元、IGBT ；其特征在于还包括保护电路；所述保护 电路包括开关单元、控制单元、熔断器、稳压二极管；所述开关单元的两端分别与驱动单 元及熔断器相连，所述开关单元的控制端与控制单元相连，所述控制单元接收驱动单元的 信号以控制开关单元的导通与断开，熔断器与IGBT的门极相连，稳压二极管的正端连接所 述开关单元与熔断器的连接点，稳压二极管的负端连接IGBT的发射极。2.根据权利要求1所述的IGBT电路，其特征在于所述IGBT电路包括复数个IGBT，以 及复数个保护电路；所述复数个保护电路与复数个IGBT —一对应，复数个保护电路中的开 关单元均连接至驱动单元。3.根据权利要求1或2...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩瑶川，夏文锦，沈丽，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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