【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体发光装置。 #絲^典型的白炽光源尽管节能性非常差但具有理想特征的宽发射光谱和高显色指数。为 了在基于氮化镓(GaN)的装置中模拟后面的这些属性，典型的现有技术设计采用含铟 (In)主动层，其发射在光谱的近紫外(UV)到蓝光区域中的光，接着使用所述光 来激发磷光体层，以产生所需的宽光谱发射。此方法具有某些缺点。由于斯托克司频移(Stokes shift)(由材料缺陷和大体上部分 非辐射衰变产生的发射和吸收光谱的跃迁能量差异)和不良转换效率的缘故，降频转换 过程在本质上是低效的。发射光谱和强度对于磷光体成分和厚度中的空间变化非常敏感，且可随着发射方向而发生极大变化。最后，尽管二极管本身可具有较长使用期限，但磷 光体通常随着时间而降级，从而导致发射光谱随着时间而变化。含铟的氮化物基合金可展示在从光谱的UV到红外部分的波长范围内的特征发射。 因此，理论上，在没有磷光体辅助的情况下，可单独使用含铟合金来产生在此宽光谱范 围上进行发射的光源。然而，使用含铟合金来获得长波长发射(蓝光到红外)其本身存在问题；其中主要 问题是沉积具有高铟含量的层造成材料质...
【技术保护点】
一种制作半导体发光装置的方法，其包含： 在织构化表面上沉积含铟（Ｉｎ）发光层以及后续装置层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-2-9 11/054,2711.一种制作半导体发光装置的方法，其包含在织构化表面上沉积含铟(In)发光层以及后续装置层。2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积步骤包含-(1) 在衬底上沉积氮化镓(GaN)成核层；(2) 在所述成核层上沉积非有意掺杂(UID)的GaN模板层；(3) 在所述模板层上沉积n型导电GaN层；(4) 蚀刻所述沉积的GaN层以形成所述织构化表面；(5) 在所述织构化表面上再生长所述ii型导电GaN层；以及(6) 在所述再生长的n型导电GaN层上沉积所述含铟发光层。3. 根据权利要求2所述的方法，其中所述在所述再生长的ii型导电GaN层上沉积所述 含铟发光层的步骤(6)进一步包含(i) 在所述再生长的n型导电GaN层上沉积(Al，In, Ga) N量子阱层；以及(ii) 在所述(Al，In，Ga) N量子阱层上沉积(A1, In， Ga) N阻挡层。4. 根据权利要求3所述的方法，其进一步包含重复所述沉积步骤(i)和沉积步骤(ii) 以获得多个量子阱和阻挡层。5. 根据权利要求3所述的方法，其中依据所述织构化表面上的位置而定，将不同分数 的铟并入到所述(In,Ga) N层中。6 根据权利要求1所述的方法，其进一步包含对所述表面进行选择性织构化。7 其中所述织构化表面是部分织构化表面。 其进一步包含控制所述表面的织构化区域与所述表面8 根据权利要求6所述的方法 根据权利要求6所述的方法 的非织构化区域的比率。9. 根据权利要求6所述的方法10. 根据权利要求6所述的方法11. 根据权利要求6所述的方法 结果。12. 根据权利要求1所述的方法其进一步包含控制所述织构化表面的图案。 其进一步包含控制所述织构化表面的尺寸。 其中所述织构化表面的不同图案和深度产生...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉亚夏尔马，保罗摩根帕蒂森，约翰F克丁，中村修二，
申请(专利权)人：加利福尼亚大学董事会，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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