耐水性偏光膜的制造方法技术

以往的使有机色素取向的偏光膜使用具有由磺酸离子与１价阳离子相键合的磺酸盐基的有机色素。这样的偏光膜由于有机色素的磺酸盐基溶于水而缺乏耐水性。对此，将磺酸盐基的１价阳离子置换成不溶于水的２价阳离子可以获得耐水性偏光膜。但进行耐水性处理会产生二色性比降低的问题。为了获得二色性比不降低的耐水性偏光膜，进行耐水化处理的偏光膜所用的有机色素内的相邻的磺酸基或磺酸盐基的位置关系至关重要。本发明专利技术的耐水性偏光膜的制造方法的特征在于，耐水化处理前的偏光膜包含由下述通式（１）或（２）所示的偶氮化合物２０构成的有机色素。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使有机色素取向的。
技术介绍
液晶面板中，为了控制透过液晶的光线的旋光性而使用偏光板。以往作为这些偏 光板，将聚乙烯醇等聚合物薄膜用碘、二色性色素进行染色、并沿一个方向拉伸而成的偏光 板被广泛使用。但是上述偏光板会由于色素、聚合物薄膜的种类而产生耐热性、耐光性不 足、以及厚度过厚的问题。相对于此，在玻璃板、聚合物薄膜等基材上流延包含显示溶致液晶性的有机色素 的涂布液，使有机色素取向而形成偏光膜的方法是已知的。显示溶致液晶性的有机色素在 溶液中形成超分子缔合体，若对含有该有机色素的涂布液施加剪切应力使之流延，则超分 子缔合体的长轴方向会沿流延方向取向(专利文献1)。使用这样的有机色素的偏光膜不需 要拉伸，且不会由于拉伸而在宽度方向产生收缩，因此易获得宽度宽的偏光膜。另外由于可 将膜厚压至极薄，其前景备受期待。 以往，为了赋予水溶性，使有机色素取向的一部分偏光膜使用具有由磺酸离子 (-SO3-)与1价阳离子(如Li+)相键合的磺酸盐基的有机色素。这样的偏光膜由于有机色 素的磺酸盐基发生离子化而溶于水，因此缺乏耐水性。相对于此，通过将磺酸盐基的1价阳 离子置换成不溶于水的2价阳离子而进行耐水化处理，可获得不溶或难溶于水的耐水性偏 光膜(专利文献2)。然而在以往的中，进行上述耐水性处理会使有机色素的 取向程度降低，结果产生二色性比降低的问题。专利文献1 日本特开2006-323377号公报专利文献2 日本特开平11-21538号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在以往的中，进行上述耐水性处理会产生有机色素的取 向程度和二色性比降低的问题。本专利技术的目的在于，提供有机色素的取向程度和二色性比 不降低的。用于解决问题的方案本专利技术人等研究的结果表明，为了获得二色性比不因耐水化处理而降低的偏光 膜，重要的是使偏光膜所使用的有机色素内的相邻的磺酸基或磺酸盐基的位置适当地分 开。本专利技术的主旨如下所述。(1)本专利技术的，其包括下述工序，S卩，使包含具有2个以 上的磺酸基或磺酸盐基的有机色素的偏光膜的至少一侧的表面与包含2价阳离子的液体接触而进行耐水化处理的工序，其特征在于，前述耐水化处理前的前述有机色素为下述通 式⑴或⑵所示的偶氮化合物。[化学式1] 在式(1)和(2)中，QJPQ2表示可具有取代基的芳基，R表示氢原子、碳原子数1 3的烷基、乙酰基、苯甲酰基或可具有取代基的苯基，m表示O 5的整数，η表示O 5的 整数(其中，m+n彡5，且m、η中的至少一个不为0)，k表示O 5的整数，1表示O 5的 整数(其中，k+Ι < 5，且k、1中的至少一个不为0)，M表示提供1价阳离子的元素。(2)本专利技术的的特征在于，前述偶氮化合物为下述通式 (3)或(4)所示的偶氮化合物。[化学式3] [化学式4] 在式(3)和(4)中，X表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、碳原子数1 4的烷基、 碳原子数1 4的烷氧基或-SO3M基，R表示氢原子、碳原子数1 3的烷基、乙酰基、苯甲酰基或可具有取代基的苯基，M表示提供1价阳离子的元素。(3)本专利技术的的特征在于，前述2价阳离子的离子半径 为 0. 05nm 0.2nm。(4)本专利技术的的特征在于，前述包含2价阳离子的液体 中的、提供前述2价阳离子的离子化合物的浓度为 40%。(5)本专利技术的的特征在于，前述包含2价阳离子的液体 的液体温度为5°C 60°C。(6)本专利技术的的特征在于，前述包含2价阳离子的液体 为氯化钡水溶液。专利技术效果通过使用将偏光膜所用的有机色素内的相邻的磺酸基或磺酸盐基的位置适当地 分开的有机色素，可获得即便进行耐水化处理也不易降低二色性比的耐水性偏光膜。附图说明图1为说明由离子交换所引起的偶氮化合物直线性变化的示意图。附图标记说明10以往的偶氮化合物11磺酸离子12 1价阳离子13 2价阳离子20本专利技术所用的偶氮化合物21磺酸离子22 1价阳离子23 2价阳离子具体实施例方式本专利技术人等为了解决上述课题而进行了深入的研究，结果发现，为了获得二色性 比不易降低的耐水性偏光膜，进行耐水化处理的偏光膜所用的有机色素内的相邻的磺酸基 或磺酸盐基的位置关系至关重要。目前作为有机色素使用的偶氮化合物例如为下述结构式(5)所示的偶氮化合物。[化学式5]OH一ζ \ U03S^^^S03LiSO3Li如图1 (a)示意性所示，结构式(5)所示的偶氮化合物10由于相邻的磺酸离子11 的位置靠近，因此将离子半径小的1价阳离子12进行离子交换变成离子半径大的2价阳离子13时，偶氮化合物10弯曲折叠或产生扭转而失去直线性，所得的耐水性偏光膜的二色性 比降低。相对于此，本专利技术所使用的偶氮化合物例如为下述结构式(6)所示的偶氮化合 物。[化学式6] 如图1 (b)示意性所示，结构式(6)所示的偶氮化合物20由于相邻的磺酸离子21 的位置适当地分开，因此将半径小的1价阳离子22进行离子交换变成离子半径大的2价阳 离子23后，偶氮化合物20的直线性仍得以保持。结果可防止由于耐水化处理导致耐水性 偏光膜的二色性比降低。[]本专利技术的的特征在于，该制造方法包括下述工序，S卩，使 包含具有2个以上磺酸基或磺酸盐基的有机色素的偏光膜的至少一侧的表面与包含2价阳 离子的液体接触而进行耐水化处理的工序，且耐水化处理前的有机色素为特定的偶氮化合 物。根据该制造方法，可将因耐水化处理而引起的偏光膜的二色性比的变化率的绝对值优 选控制在15%以下，更优选控制在10%以下。本专利技术的只要满足 上述特征，就没有特别限制，可包括任意工序。例如，本专利技术的可 以包括在使偏光膜的至少一侧的表面与包含2价阳离子的液体接触后，对附着的液体进 行水洗的工序，进行干燥的工序等。[耐水化处理前的偏光膜]在本专利技术的中，耐水化处理前的偏光膜的特征在于，包 含由下述通式(1)或(2)所示的偶氮化合物构成的有机色素。在式(1)和式(2)中，Q1和 Q2表示可具有取代基的芳基。R表示氢原子、碳原子数1 3的烷基、乙酰基、苯甲酰基或 可具有取代基的苯基。m表示O 5的整数，η表示O 5的整数(其中，m+n彡5，且m、η 中的至少一个不为0)。k表示0 5的整数，1表示0 5的整数(其中，k+Ι彡5，且k、1 中的至少一个不为0)。M表示提供1价阳离子的元素，优选氢原子或碱金属原子。[化学式1] [化学式2] 耐水化处理前的偏光膜优选含有偏光膜总重量的50重量％ 100重量％的上述 通式(1)或(2)所示的偶氮化合物。对于由上述通式(1)或⑵所示的偶氮化合物构成的有机色素，由于相邻的磺酸 离子的位置适当的分开，因此即便将1价阳离子(M)进行离子交换变成离子半径大的2价 阳离子，偶氮化合物的直线性仍得以保持。因此，耐水性偏光膜的取向程度和二色性比在耐 水化处理前后得以维持。在上述通式(1)和(2)中，羟基(-0H)和氨基(-NHR)的取代位置 没有特别限制，可在萘骨架的任意位置进行取代。更优选的是，耐水化处理前的偏光膜包含由下述通式(3)或(4)所示的偶氮化合 物构成的有机色素。在通式(3)和(4)中，R和M与通式(1)和(2)相同，X表示氢原子、 卤素原子、硝基、氰基、碳原子数1 4的烷基、碳原子数1 4的烷氧基或-SO3M基。由通 式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耐水性偏光膜的制造方法，所述制造方法包括下述工序，即，使包含具有２个以上磺酸基或磺酸盐基的有机色素的偏光膜的至少一侧的表面与包含２价阳离子的液体接触而进行耐水化处理的工序，其特征在于，所述耐水化处理前的所述有机色素为下述通式（１）或（２）所示的偶氮化合物，［化学式１］＊＊＊…（１）［化学式２］＊＊＊…（２）在式（１）和（２）中，Ｑ↓［１］和Ｑ↓［２］表示可具有取代基的芳基；Ｒ表示氢原子、碳原子数１～３的烷基、乙酰基、苯甲酰基或可具有取代基的苯基；ｍ表示０～５的整数，ｎ表示０～５的整数，其中，ｍ＋ｎ≤５，且ｍ、ｎ中的至少一个不为０；ｋ表示０～５的整数，ｌ表示０～５的整数，其中，ｋ＋ｌ≤５，且ｋ、ｌ中的至少一个不为０；Ｍ表示提供１价阳离子的元素。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-2-13 2008-031346;JP 2008-4-23 2008-112600一种耐水性偏光膜的制造方法，所述制造方法包括下述工序，即，使包含具有2个以上磺酸基或磺酸盐基的有机色素的偏光膜的至少一侧的表面与包含2价阳离子的液体接触而进行耐水化处理的工序，其特征在于，所述耐水化处理前的所述有机色素为下述通式(1)或(2)所示的偶氮化合物，[化学式1][化学式2]在式(1)和(2)中，Q1和Q2表示可具有取代基的芳基；R表示氢原子、碳原子数1～3的烷基、乙酰基、苯甲酰基或可具有取代基的苯基；m表示0～5的整数，n表示0～5的整数，其中，m+n≤5，且m、n中的至少一个不为0；k表示0～5的整数，l表示0～5的整数，其中，k+l≤5，且k、l中的至少一个不为0；M表示提供1价阳离子的元素。FPA00001138372100011.tif,FPA0000113837...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎顺三，松田祥一，西口恭子，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]