使用熔液法的单晶生长用籽晶轴制造技术

本发明专利技术提供可防止或抑制使用熔液法的多晶的生成且以高的生长速度使单晶生长的使用熔液法的结晶生长用籽晶轴。本发明专利技术的使用熔液法的单晶生长用籽晶轴，是被用于使用熔液法的单晶制造装置的籽晶轴，是在籽晶支持部件上介有下述碳片接合籽晶而成的，所述碳片在与原料熔液的熔液面垂直的方向具有高导热性，并且它是通过粘合剂层叠了多片的碳制薄膜的叠层碳片、将以格子状配置了层叠方向不同的多个小片的叠层碳片、将碳制带从中心卷绕成同心圆状的卷绕型碳片、或者将厚度不同的多个碳制带以从中心趋向外周厚度变厚的方式进行了层叠卷绕的叠层卷绕型碳片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用熔液法的单晶生长用籽晶轴，更详细来说，涉及可防止或抑制多 晶的产生而且可增大生长速度的使用熔液法的单晶生长用籽晶轴。
技术介绍
SiC单晶具备如下优点在热学、化学上非常稳定，机械强度优异，抗辐射线强，而 且与Si (硅)单晶相比具有高的绝缘击穿电压、高的导热率等优异的物性，通过添加杂质 还可容易地进行P、η传导型的电子控制，并且具有宽的禁带宽度(4Η型的单晶SiC为约 3. 3eV,6H型的单晶SiC为约3. OeV)。因此，可实现使用Si单晶和GaAs (砷化镓)单晶等 现有的半导体材料时不能实现的高温、高频、耐电压和耐环境性，作为下一代的半导体材料 对它的期望在提高。以往，作为SiC单晶的代表性的生长方法，已知有气相法和熔液法。作为气相法通 常使用升华法。在升华法中，在石墨制坩埚内对向地配置SiC原料粉末和作为SiC单晶的 籽晶，在惰性气体气氛中对坩埚进行加热，使单晶外延生长。但是已知在该气相法中，从坩 埚内壁生长起来的多晶对SiC单晶的品质造成不良影响。另外，在熔液法中，使用具有由放入了原料熔液的坩埚例如石墨坩埚、原料熔液、 高频线圈等外部加热装置、绝热材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用熔液法的单晶生长用籽晶轴，是被用于使用熔液法的单晶制造装置的籽晶轴，该籽晶轴是在籽晶支持部件上介有叠层碳片接合籽晶而成的，所述叠层碳片在与原料熔液的熔液面垂直的方向具有高导热性，它是使多片的碳制薄膜利用粘合剂进行层叠而成的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种使用熔液法的单晶生长用籽晶轴，是被用于使用熔液法的单晶制造装置的籽晶 轴，该籽晶轴是在籽晶支持部件上介有叠层碳片接合籽晶而成的，所述叠层碳片在与原料 熔液的熔液面垂直的方向具有高导热性，它是使多片的碳制薄膜利用粘合剂进行层叠而成 的。2.一种使用熔液法的单晶生长用籽晶轴，是被用于单晶制造装置的籽晶轴，该籽晶轴 是在籽晶支持部件上介有叠层碳片接合籽晶而成的，所述叠层碳片在与原料熔液的熔液面 垂直的方向具有高导热性，它是多片的碳制薄膜利用粘合剂进行层叠而成的、以格子状配 置了层叠方向不同的多个小片的叠层碳片。3.一种使用熔液法的单晶生长用籽晶轴，是被用于单晶制造装置的籽晶轴，该籽晶轴 是在籽晶支持部件上介有卷绕型碳片接合籽晶而成的，所述卷绕型碳片在与原料熔液的熔 液面垂直的方向具有高导热性，它是将碳制带从中心卷绕成同心圆状而成的。4.一种使用熔液法的单晶生长用籽晶轴，是被用于使用熔液法的单晶制造装置的籽晶 轴，该籽晶轴是在籽晶支持部件上介有叠层卷绕型碳片接合籽晶而成的，所述叠层卷绕型 碳片在与原料熔液的熔液面垂直的方向具有高导热性...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂元秀光，藤原靖幸，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：JP