【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】 记忆穴位剌激帽，其特征是：包括头架、穴位剌激装置、旋转磁盘，旋转磁盘包括外壳、转盘、马达，转盘四周嵌有至少二个磁铁，转盘中心与马达转轴相连，所述旋转磁盘设于头架靠近头部左侧颞区处。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】 技术研发人员：刘东光， 申请(专利权)人：刘东光， 类型：实用新型 国别省市：81[中国|广州]
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