【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于将物质给药的植入物。一个本专利技术的实施方案尤其是但不限于将微量营养素、微量元素或矿物质给药的植入物。药物最经常是通过摄入片剂、胶囊或气雾剂口服给药，或通过皮下、肌内或静脉内注射给药，或者是通过植入给药。在市场上，口服固体剂型占40-50％，非胃肠道给药产品占33％，其它更“新”的剂型(NDF′s)仅占很少的百分比。然而，能提高药物治疗比率和防止患者不配合的NDF′s有巨大潜力。患者不配合仍然是主要问题，尽管有95％患者意识到其后果。常见的例子是不完全的抗生素治疗过程、抗抑制药使用的时间太短、和忘记服用避孕药丸。已有皮下植入并且在一定时期内以控制方式递送药物的已知植入物。这些植入物一般是基于聚合材料系统。有两种基本类型的控制药物递送的植入物“贮库”和“单片”结构。“贮库”装置具有控制层，它们被身体侵蚀或吸收以释放在这些控制层下方的贮存药物。由于具有连续交替的控制层和药物层，所以药物可在一定时期内释放。“单片”装置具有整体分布的药物，因此释放动力学是通过缓慢侵蚀和扩散过程控制的。问题包括所谓的“爆发效果”，其中暴露于体内后不久即有不需要的大部分药物从...
【技术保护点】
一种结合了有益物质的硅植入物，当植入哺乳动物体内时所述植入物会被侵蚀。
【技术特征摘要】
GB 1998-4-17 9808052.61.一种结合了有益物质的硅植入物，当植入哺乳动物体内时所述植入物会被侵蚀。2.权利要求1的硅植入物，其中所述植入物包含多孔硅。3.权利要求1的硅植入物，其中所述植入物包含多晶硅。4.前述任一项权利要求的硅植入物，其中当植入哺乳动物体内时所述植入物被再吸收。5.前述任一项权利要求的硅植入物，其中如果在哺乳动物体内长时间放置，所述植入物基本上被完全再吸收。6.前述任一项权利要求的硅植入物，其中所述有益物质包括元素周期表中的元素。7.权利要求6的硅植入物，其中所述元素是微量矿物质。8.权利要求7的硅植入物，其中所述微量矿物质选自硒、锰、钼、铬、钒、碘、氟、钴(维生素B12)。9.权利要求6的硅植入物，其中所述元素是如附图5所示的必需微量元素。10.权利要求6的硅植入物，其中所述元素是治疗元素。11.权利要求10的硅植入物，其中所述元素选自锂、金、银、铂。12.前述任一项权利要求的硅植入物，其中所述物质分布在所示植入物材料整体内。13.权利要求11的硅植入物，其中所述物质基本上分布在所示植入物材料的整体内。14.前述任一项权利要求的硅植入物，其中所述植入物包含至少一个多孔硅区域。15.权利要求14的硅植入物，其中所述植入物包含基本上完全性多孔硅。16.权利要求14或15的硅植入物，其中所述植入物具有至少3％、4％或5％的孔隙率。17.权利要求14-15任一项的硅植入物，其中所述植入物具有30％或30％以下的孔隙率。18.权利要求14-16任一项的硅植入物，其中所述植入物的孔隙率为3％-10％或者10％-60％。19.前述任一项权利要求的硅植入物，其中所述植入物上具有有益物质贮库、和通向贮库的门，该门由在使用时能被侵蚀以使体液与贮库内有益物质接触的硅材料制成。20.权利要求19的硅植入物，其中所述植入物具有多个贮库。21.权利要求19或20的硅植入物，其中所述贮库能随时间依次将其中的组分暴露或释放到体液中。22.权利要求19-21任一项的硅植入物，其中所述植入物具有多个贮库，每一贮库都具有相关的门，其中门具有不同的侵蚀时间，这样在使用时贮库在不同时间破裂。23.权利要求22的硅植入物，其中所述门具有不同厚度。24.权利要求22的硅植入物，其中所述门以不同速度侵蚀。25.权利要求19-24任一项的硅植入物，其中所述植入物具有一排贮库。26.权利要求19-25任一项的硅植入物，其中所述贮库包含含有有益物质的孔。27.权利要求19-25任一项的硅植入物，其中所述贮库包含植入物的特征区域，所述区域含有不同量的其水平比相邻非贮库植入物区域明显高的有益物质。28.权利要求19-27任一项的硅植入物，其中所述植入物包含部分界定在贮库或每一贮库边缘的第一组分，和部分界定在贮库或每一贮库边缘的第二组分。29.权利要求28的植入物，其中所述两个组分基本上相同。30.权利要求19-29任一项的硅植入物，其中所述植入物具有至少10个、优选至少100个顺序排列的贮库。31.权利要求30的硅植入物，其中所述植入物具有至少1000个顺序排列的贮库。32.权利要求19-31任一项的硅植入物，其中所述植入物是通过微型机械加工的。33.包含可被哺乳动物皮下生理体液侵蚀的多孔或多晶载体材料并且载体材料结合的有益物质的植入物。34.权利要求33的植入物，其中所述载体材料是半导体。35.权利要求34的植入物，其中所述载体材料选自掺杂或未掺杂的硅、锗、碳化硅、氮化硅。36.权利要求33-35任一项的植入物，其中所述植入物包含多孔或多晶半导体材料。37.权利要求33-36任一项的植入物，其中所述有益物质包括元素周期表中的元素。38.权利要求36的植入物，其中所述元素是微量矿物质。39.权利要求36或权利要求1-35任一项的植入物，其中用包含在使用时可被侵蚀的材料的另一半导体材料来代替硅。40.基本上参照附图4A-4C和附图5在本说明书中描述的硅植入物。41.基本上参照附图6、或附图7、或附图8、或附图9在本说明书中描述的硅植入物。42.制备用于将有益物质递送给个体的硅植入物的方法，所述方法包括取硅体、将硅形成可植入的植入物、并把有益物质引入硅中。43.权利要求42的方法，其中包括将微量矿物质的溶液涂在硅上，并使微量矿物质迁移到硅内。44.权利要求42或43的方法，其中包括采用加热将有益物质驱动到硅内。45.权利要求42-44任一项的方法，其中包括通过微型机械在硅中加工成孔或凹口。46.权利要求45的方法，其中还包括将所述有益物质引入孔中。47.权利要求43-46任一项的方法，其中包括在含有有益物质的区域上加上盖或门以保留有益性物质。48.权利要求45-47任一项的方法，其中包括在硅的第一部分硅中制备一个孔，在第二片硅上制备一个互补孔，将所述有益物质引入一个或两个孔中，将这两部分连接，使它们的孔对齐，以形成含有所述有益物质的封闭贮库。49.权利要求45-48任一项的方法，其中包括在植入物中制备大量孔，优选同时制备。50.权利要求49的方法，包括使用光刻技术来制备孔。51.权利要求42-50任一项的方法，其中包括处理硅体以使得硅体至少部分是多孔的。52.权利要求51的方法，包括使硅体基本上在其整个体积内都是多孔的。53.权利要求42-50任一项的方法，包括制备或产生多晶硅体材料、多晶硅层或多晶硅区域。54.制备用于将有益物质递送给被植入者的半导体植入物的方法，所述方法包括取半导体、将半导体形成可植入的植入物、并把有益物质引入半导体中。55.权利要求54的方法，其中所述半导体选自硅、锗。56.权利要求54或55的方法，包括将微量矿物质引入半导体中。57.权利要求54-56任一项或权利要求42-53任一项的方法，其中硅材料不一定必须是硅，也可以是另一种半导体。58.基本上如本说明书所述的制备半导体植入物的方法。59.制备用于将有益物质递送给被植入者的植入物的方法，所述方法包括处理可在体内被侵蚀的多孔单元，将该单元制成植入物，把有益物质引入植入物内。60.具有多个贮库、分配所述贮库中的多种有益物质、提供给相邻所述贮库的多个屏障区域或门的植入物，其中当植入时所述门具有多个不同侵蚀时间，并且门的排列使得在使用时门依次分解以交错释放贮库的组分。61.权利要求60的植入物，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：LT坎哈姆，CP巴雷特，AP鲍迪齐，TI科克斯，PJ赖特，
申请(专利权)人：英国国防部，
类型：发明
国别省市：GB[英国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。