【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
1、已知一种在处理容器内使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的基片处理装置（例如，参照专利文献1）。在处理容器设置有用于送入送出基片的送入送出口。送入送出口被盖体封闭。在处理容器的外表面与盖体之间以包围送入送出口的状态设置有双重密封机构。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利第5655735号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供一种能够抑制处理容器的内部的污染的技术。
3、用于解决技术问题的技术手段
4、本专利技术的一个方式的基片处理装置是能够使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的装置，所述基片处理装置包括：处理容器，其具有所述基片的送入送出口，在内部形成能够利用所述处理流体对所述基片进行处理的处理空间；盖体，其用于将所述送入送出口开闭；内侧密封部件，其以包围所述送入送出口的状态设置在所述处理容器与所述盖体之间...
【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其能够使用超临界状态的处理流体对基片进行处理，所述基片处理装置的特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
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