一种高功率密度MOS功率模组应用电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高功率密度MOS功率模组应用电路。本发明专利技术中，通过微型采样电阻实时采集主功率模块中各并联MOS管的源极电流数据，经信号处理与传输模块转换后，通过SPI接口传递至驱动与控制模块的控制芯片。控制芯片分析电流偏差后，驱动调整执行模块动态调节驱动芯片的栅压参数，有效改善了因MOS管制造差异或温度变化导致的电流分配不均问题，减少了个别器件因长期过载运行而产生的异常损耗，电流分配均匀度的提升直接延长了核心功率器件的使用寿命；通过动态均流模块的实时调整，各MOS管分担的电流趋于一致，避免了局部过载现象，降低了器件因负载不均衡导致的损坏风险，从而减少了模组因器件故障需要维修或更换的频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于mos模组电路，具体为一种高功率密度mos功率模组应用电路。

技术介绍

1、mos功率模组应用电路是一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)构建的高效功率转换与控制电路，广泛应用于工业自动化、新能源、电动汽车、电源供应器及电机驱动等领域。该类电路通过将多个mosfet芯片集成在模块中，实现对电流、电压及功率的精确调控，具有导通电阻低、开关速度快、热损耗小和可靠性高等优点。mos功率模组通常包括栅极驱动电路、热管理模块及保护电路，能够有效提升系统的整体效率与稳定性。在实际应用中，mos功率模组可实现ac/dc、dc/dc、dc/ac等多种形式的功率变换，满足不同负载和工况下的高性能需求。随着宽禁带半导体材料(如sic、gan)的引入，mos功率模组的应用电路正朝着更高效率、更小体积和更优热性能的方向不断发展。

2、但是现有技术中，并联mos管的电流分配主要依赖器件自身一致性和静态参数匹配，缺乏动态实时的电流检测与调整机制，易因制造差异或温度变化导致电流分配不均，造成部分器件长期过载加速老化；同时在负载突变时难以快速抑制电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高功率密度MOS功率模组应用电路，其特征在于：包括电路主体(1)，所述电路主体(1)的内部设置有系统主体(2)；

2.如权利要求1所述的一种高功率密度MOS功率模组应用电路，其特征在于：所述主功率模块(3)的内部设置有DBC基板、SiC MOSFET阵列、源极/漏极铜箔、主端子和控制端子。

3.如权利要求1所述的一种高功率密度MOS功率模组应用电路，其特征在于：所述驱动与控制模块(4)的内部设置有高频驱动芯片、控制芯片、保护电路。

4.如权利要求1所述的一种高功率密度MOS功率模组应用电路，其特征在于：所述电流信号采集模块(9)的内部设置有微型...

【技术特征摘要】

1.一种高功率密度mos功率模组应用电路，其特征在于：包括电路主体(1)，所述电路主体(1)的内部设置有系统主体(2)；

2.如权利要求1所述的一种高功率密度mos功率模组应用电路，其特征在于：所述主功率模块(3)的内部设置有dbc基板、sic mosfet阵列、源极/漏极铜箔、主端子和控制端子。

3.如权利要求1所述的一种高功率密度mos功率模组应用电路，其特征在于：所述驱动与控制模块(4)的内部设置有高频驱动芯片、控制芯片、保护电路。

4.如权利要求1所述的一种高功率密度mos功率模组应用电路，其特征在于：所述电流信号采集模块(9)的内部设置有微型采样电阻、高精度差分运放。

5.如权利要求1所述的一种高功率密度mos功率模组应用电路，其特征在于：所述信号处理与传输模块(10)的内部设置有低通滤波器、模数转换器、通信接口。

6.如权利要求1所述的一种高功率密度mos功...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟，李瑜，陈中梅，高伟，
申请(专利权)人：成都航域卓越电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：