一种泄放浪涌及ESD能量的供电管电路制造技术

技术编号:46627163 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-14 21:24
本公开实施例提供了一种泄放浪涌及ESD能量的供电管电路,包括:供电管模块,第一泄放模块,第二泄放模块;供电管模块包括供电管和内部低压电路,供电管的漏极连接端口电压输入端,供电管的源极连接内部低压电路;第一泄放模块的第一端连接第一电压,第一泄放模块的第二端连接第二泄放模块的第一端,第一泄放模块的第三端接地;第二泄放模块的第二端连接供电管的栅极,第二泄放模块的第三端接地;在端口电压输入端的电压上升速率大于等于第一速率时,第一泄放模块泄放浪涌电压;在端口电压输入端的电压上升速率大于等于第二速率时,第一泄放模块和第二泄放模块泄放ESD电压。从而提高芯片可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及集成电路,尤其涉及一种泄放浪涌及esd能量的供电管电路。


技术介绍

1、浪涌电压是超出工作电压的瞬间过电压,具有电压大和产生时间极短等特点。当出现电网波动、开关操作或雷电时,容易在电子设备的端口产生浪涌电压,若浪涌电压超过电子设备的端口的承受能力,则会对电子设备造成破坏性影响。

2、静电放电(electro static discharge,esd)是指由于静电积累而在物体之间发生的电荷快速释放,常见于接触带电物体或摩擦过程中。一般的静电放电可能造成元件的轻微损伤,若静电放电产生高压时可能直接击穿晶体管、二极管等敏感元件中的绝缘层,导致短路或永久性损坏。

3、现有的供电管电路由于功率管的尺寸较大,器件各端子间有较大的寄生电容,在浪涌和esd事件下该寄生电容容易导致供电管的vdd供电电压过冲,从而损坏电路元件,如何泄放浪涌及esd能量是供电管电路亟待解决的技术问题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本公开实施例提供一种泄放浪涌及esd能量的供电管电路,以解决或缓解上述问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种泄放浪涌及ESD能量的供电管电路,其特征在于,包括:供电管模块,第一泄放模块,第二泄放模块;其中,

2.根据权利要求1所述的泄放浪涌及ESD能量的供电管电路,其特征在于,所述供电管为第一NMOS管,所述供电管模块还包括稳压电容,所述稳压电容的一端连接所述第一NMOS管的栅极,所述稳压电容的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的泄放浪涌及ESD能量的供电管电路,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的泄放浪涌及ESD能量的供电管电路,其特征在于,在所述端口电压输入端的电压上升速率大于等于第一速率时,所述第一电阻两端产生压差使能所述第一PMOS管的源...

【技术特征摘要】

1.一种泄放浪涌及esd能量的供电管电路,其特征在于,包括:供电管模块,第一泄放模块,第二泄放模块;其中,

2.根据权利要求1所述的泄放浪涌及esd能量的供电管电路,其特征在于,所述供电管为第一nmos管,所述供电管模块还包括稳压电容,所述稳压电容的一端连接所述第一nmos管的栅极,所述稳压电容的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的泄放浪涌及esd能量的供电管电路,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的泄放浪涌及esd能量的供电管电路,其特征在于,在所述端口电压输入端的电压上升速率大于等于第一速率时,所述第一电阻两端产生压差使能所述第一pmos管的源极和漏极之间导通,对地泄放浪涌电压。

5.根据权利要求4所述的泄放浪涌及esd能量的供电管电路,其特征在于,所述第二泄放模块包括第二nmos管和第二电阻,所述第二电阻的一端连接所述第二nmos管的栅极,所述第二电阻的另一端连接所述第二nmos管的源极并接地;所述第二泄放模块的第一端为所述第二nmos管的漏极,所述第二nmos管的栅极用于连接所述第二泄放模块的第二端,所述第二泄放模块的第三端为所述第二nmos管的源极。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:雷东霖孟欣谭萍吴传奎
申请(专利权)人:成都艾为微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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