灵活的SRAM预充电系统和方法技术方案

本公开的实施例包括用于对SRAM进行预充电的技术。预充电信号可以被用于将预充电信号施加给SRAM存储器库中的位线。本公开的特征和优势包括在SRAM中接收预充电信号并且存储该预充电信号。该预充电信号可以在SRAM正在执行存储器访问的周期内被接收和存储。该所存储的预充电信号可以在以后的周期内被施加。在一些实施例中，SRAM被区分成多个子库，并且多个预充电信号针对不同的子库而被接收和存储。例如，所存储的预充电信号可以被单独施加给不同的子库。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、本公开通常涉及计算，并且具体地，涉及灵活的静态随机访问存储器(sram)预充电系统和方法。

2、在读取或写入访问可以进行之前，sram存储器通常将其位线预充电到高电压状态。当sram的位线处于预充电状态时，与处于非预充电状态相比，sram通常将会表现出更高的漏电功率。此外，sram内的多个大型驱动器(诸如字线驱动器)贡献了大量的整体sram漏电功率。为了改进使用sram的设计中的功率消耗，期望最小化sram处于高漏电状态的时间。

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种静态随机访问存储器(SRAM)电路，包括：

2.根据权利要求1所述的SRAM电路，其中当所述SRAM访问控制电路不在所述当前周期内访问所述SRAM存储器库中的所存储的所述数据位时，所述预充电信号使所述多条位线进行预充电。

3.根据权利要求1所述的SRAM电路，其中当所述SRAM访问控制电路正在所述当前周期内访问所述SRAM存储器库中的所存储的所述数据位时，所述预充电信号被存储在所述SRAM访问控制电路中，以在所述当前存储器访问被完成时，对所述多条位线自动进行预充电。

4.根据权利要求1所述的SRAM电路，其中当所述预充电信号指示不存在针对所述后...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种静态随机访问存储器(sram)电路，包括：

2.根据权利要求1所述的sram电路，其中当所述sram访问控制电路不在所述当前周期内访问所述sram存储器库中的所存储的所述数据位时，所述预充电信号使所述多条位线进行预充电。

3.根据权利要求1所述的sram电路，其中当所述sram访问控制电路正在所述当前周期内访问所述sram存储器库中的所存储的所述数据位时，所述预充电信号被存储在所述sram访问控制电路中，以在所述当前存储器访问被完成时，对所述多条位线自动进行预充电。

4.根据权利要求1所述的sram电路，其中当所述预充电信号指示不存在针对所述后续周期的预充电时，则在所述当前存储器访问被完成时，所述sram访问控制电路不对所述位线进行预充电。

5.根据权利要求4所述的sram电路，其中当所述预充电信号指示不存在针对所述后续周期的预充电时，则在所述当前存储器访问被完成时，所述sram访问控制电路还关闭向多条字线提供功率的一个或多个头部开关。

6.根据权利要求1所述的sram电路，其中所述预充电信号包括一个或多个位。

7.根据权利要求1所述的sram电路，其中所述sram存储器库包括多个存储器子库，并且所述预充电信号包括相应数目的位，以对所述多个存储器子库单独进行预充电。

8.根据权利要求7所述的sram电路，其中所述位的数目等于所述多个存储器子库的数目。

9.根据权利要求7所述的sram电路，其中所述sram访问控制电路包括等于所述多个存储器子库的数目的多个预充电信号输入。

10.根据权利要求9所述的sram电路，其中所述sram访问控制电路包括多个触发器，以用于存储等于所述多个存储器子库的数目的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·N·马吉尔，C·柴，J·P·贾达夫，
申请(专利权)人：微软技术许可有限责任公司，
类型：发明
国别省市：