【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种二次电池。
技术介绍
1、与不被设计为（再）充电的一次电池不同，二次（或可再充电）电池是被设计为放电和再充电的电池。低容量二次电池用于诸如智能电话、功能电话、笔记本计算机、数码相机和摄像机的便携式小型电子装置中，而大容量二次电池广泛用作用于驱动混合动力车辆和电动车辆中的电机的电源以及用于存储电力（例如，家庭和/或公用事业规模电力存储）的电源。二次电池通常包括由正电极和负电极构成的电极组件、容纳电极组件的壳体、以及连接到电极组件的电极端子。
2、在该
技术介绍
部分中公开的上述信息是为了增强对本公开的背景的理解，因此，它可能包含不构成相关（或现有）技术的信息。
技术实现思路
1、本公开提供了一种能够改善包括壳体和盖板的电池容纳部件的密封性能的二次电池。
2、本公开的这些和其他方面和特征将在本公开的实施例的以下描述中描述或者将通过本公开的实施例的以下描述而明显。
3、为了解决上述技术问题，根据本公开的实施例的二次电池包括：电极组件，包括第一电极板、...
【技术保护点】
1.一种二次电池，所述二次电池包括：
2.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述成形曲率大于所述支撑应变。
3.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述压接部包括：
4.根据权利要求3所述的二次电池，其中，所述成形曲率是所述压接部的所述覆盖长度与所述压接部的所述弯曲量之比的百分比，
5.根据权利要求4所述的二次电池，其中，所述成形曲率为265%至300%。
6.根据权利要求3所述的二次电池，其中，所述支撑应变是所述压接部的所述覆盖叠置长度与所述卷边部的所述凹陷深度之比的百分比，
7.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种二次电池，所述二次电池包括：
2.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述成形曲率大于所述支撑应变。
3.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述压接部包括：
4.根据权利要求3所述的二次电池，其中，所述成形曲率是所述压接部的所述覆盖长度与所述压接部的所述弯曲量之比的百分比，
5.根据权利要求4所述的二次电池，其中，所述成形曲率为265%至300%。
6.根据权利要求3所述的二次电池，其中，所述支撑应变是所述压接部的所述覆盖叠置长度与所述卷边部的所述凹陷深度之比的百分比，
7.根据权利要求6所述的二次电池，其中，所述支撑应变为66%至75%。
8.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述第二垫圈置于所述盖板与所述压接部之间以及所述盖板与所述卷边部之间，以围绕所述盖板的边缘区域的上表面、侧表面和下表面，并且
9.根据权利要求8所述的二次电池，其中，所述第二垫圈包括：
10.根据权利要求9所述的二次电池，其中，所述第二垫圈的所述上端区域比所述压接部朝向所述盖板的中心凸出得远。
11.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述盖板包括：
12.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述电极组件还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：权俊焕，崔友赫，梁准虎，朴贤锡，李泰润，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：
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