沉积掩模、用于制造沉积掩模的方法和电子装置制造方法及图纸

技术编号:46624861 阅读:2 留言:0更新日期:2025-10-14 21:21
公开了一种沉积掩模、用于制造沉积掩模的方法和电子装置。该沉积掩模包括:掩模基底,包括多个单元区域和在平面图中围绕单元区域的单元外围区域;掩模隔膜,与掩模基底的单元区域叠置,限定像素开口,并且包括掩模阴影;以及掩模框架,与单元外围区域叠置,并且包括上无机层和下无机层,上无机层在掩模基底的上表面上方,下无机层在掩模基底的下表面下方,并且具有不同于上无机层的高度且大于掩模阴影的高度的高度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种沉积掩模和用于制造该沉积掩模的方法。


技术介绍

1、正在开发一种以眼镜或头盔的形式开发并且聚焦于靠近用户的眼睛的距离的可穿戴装置。例如,可穿戴装置可以是头戴式显示器(hmd)装置或ar眼镜。这种可穿戴装置向用户提供增强现实(“ar”)画面或虚拟现实(“vr”)画面。

2、可穿戴装置(诸如hmd装置或ar眼镜)可以适当地使用至少2000像素每英寸(ppi)的显示规格,以允许用户长时间使用该装置而不感到头晕。为此,作为具有高分辨率的小有机发光显示装置的硅上有机发光二极管(oledos)技术正在兴起。oledos是将有机发光二极管(oled)布置在其上定位有互补金属氧化物半导体(cmos)的半导体晶圆基底上的技术。


技术实现思路

1、本公开的方面提供了一种能够制造高分辨率显示面板的硅沉积掩模和用于制造该硅沉积掩模的方法。

2、本公开的方面也提供了一种能够解决由施加到掩模的应力导致的对掩模的损坏的沉积掩模和用于制造该沉积掩模的方法。

3、然而,本公开的方面不限于在此所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沉积掩模,所述沉积掩模包括:

2.根据权利要求1所述的沉积掩模,其中,所述上无机层包括与所述掩模基底的所述上表面接触的第一上无机层和在所述第一上无机层上方的第二上无机层,并且

3.根据权利要求2所述的沉积掩模,其中,所述第一上无机层和所述第一下无机层包括相同的材料,并且

4.根据权利要求3所述的沉积掩模,其中,所述第一上无机层和所述第二上无机层包括不同的相应材料。

5.根据权利要求4所述的沉积掩模,其中,所述第一上无机层和所述第二上无机层包括不同的相应应力性质。

6.根据权利要求2所述的沉积掩模,其中,所述掩模阴影包括第...

【技术特征摘要】

1.一种沉积掩模,所述沉积掩模包括:

2.根据权利要求1所述的沉积掩模,其中,所述上无机层包括与所述掩模基底的所述上表面接触的第一上无机层和在所述第一上无机层上方的第二上无机层,并且

3.根据权利要求2所述的沉积掩模,其中,所述第一上无机层和所述第一下无机层包括相同的材料,并且

4.根据权利要求3所述的沉积掩模,其中,所述第一上无机层和所述第二上无机层包括不同的相应材料。

5.根据权利要求4所述的沉积掩模,其中,所述第一上无机层和所述第二上无机层包括不同的相应应力性质。

6.根据权利要求2所述的沉积掩模,其中,所述掩模阴影包括第一掩模阴影和第二掩模阴影,所述第一掩模阴影包括与所述第一上无机层相同的材料,所述第二掩模阴影包括与所述第二上无机层相同的材料。

7.根据权利要求6所述的沉积掩模,其中,所述第一掩模阴影包括与所述第一下无机层相同的材料,并且

8.根据权利要求7所述的沉积掩模,其中,所述第一掩模阴影的高度小于所述第一下无机层的高度。

9.根据权利要求7所述的沉积掩模,其中,所述第二掩模阴影的高度等于所述第二上无机层的高度,并且

10.根据权利要求6所述的沉积掩模,其中,所述第一掩模阴影包括在远离所述第二掩模阴影的方向上的第一表面,

11.根据权利要求2所述的沉积掩模,其中,所述第一上无机层包括第一部分和第二部分,并且

12.根据权利要求1所述的沉积掩模,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵俊豪金桢国赵晟原
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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