一种硫酸钴电镀液的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硫酸钴电镀液的制备方法。本发明专利技术的硫酸钴电镀液的制备方法包括如下步骤：将如下浓度的各原料混合，得到所述硫酸钴电镀液；所述原料包括如下浓度的组分：4‑9g/L的硫酸钴、20‑40g/L的硼酸、1‑5g/L的添加剂B和水；其中g/L表示各组分的质量与硫酸钴电镀液总体积之比；所述添加剂B为式I和式II所示的化合物中的一种或两种。本发明专利技术的制备方法制得的硫酸钴电镀液进行微孔钴电镀填充时，可获得较快的填充沉积速率，实现微孔无空隙、填充均匀的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硫酸钴电镀液的制备方法。

技术介绍

1、电沉积技术是实现金属互连的关键技术，然而在电沉积过程中，由于受尖端效应和微纳孔内传质的限制，沟槽开口处金属沉积过快，易形成缩孔缺陷，降低互连线的质量和稳定性。在传统的铜大马士革工艺中，通过引入组合添加剂(加速剂、抑制剂和整平剂)，在添加剂的协同作用下，铜在开口处的沉积速率低于底部的沉积速率，形成自下而上的生长。如今，随着ic集成电路产业技术的发展，高端芯片中集成度越来越高，电子产品芯片内部的金属布线越来越密，已长达数十公里，层数高达15层，其能耗/性能方面的改善要求晶体管和金属互连线的尺寸不断缩小，由此带来的尺寸效应也越来越显著，互连线电阻率将急剧增长，这不仅造成严重的rc延迟，而且会产生较大的焦耳热，损害芯片的性能。综上，铜互连已经无法满足后摩尔时代先进集成电路尺寸微缩的发展需求，亟需寻找新型替代互连材料。

2、在此情况下，研究人员提出使用电子平均自由程短的金属，如镍、钴(co)、钼和钌等过渡金属替代铜，以避免继续缩小器件尺寸时遇到传统金属带来的电阻尺寸效应。其中co因其电子平均自由程本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硫酸钴电镀液的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：将如下浓度的各原料混合，得到所述硫酸钴电镀液；所述原料包括如下浓度的组分：4-9g/L的硫酸钴、20-40g/L的硼酸、1-5g/L的添加剂B和水；其中g/L表示各组分的质量与硫酸钴电镀液总体积之比；

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其满足如下条件的一种或多种：

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其满足如下条件的一种或多种：

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其满足如下条件的一种或多种：

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，其满足如下条件的一...

【技术特征摘要】

1.一种硫酸钴电镀液的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：将如下浓度的各原料混合，得到所述硫酸钴电镀液；所述原料包括如下浓度的组分：4-9g/l的硫酸钴、20-40g/l的硼酸、1-5g/l的添加剂b和水；其中g/l表示各组分的质量与硫酸钴电镀液总体积之比；

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其满足如下条件的一种或多种：

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其满足如下条件的一种或多种：

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其满足如下条件的一种或多种：

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，其满足如下条件的一种或多种：

6.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，孙红旗，马丽，王亮，
申请(专利权)人：合肥新阳半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：