一种半导体激光二极管的保护电路制造技术

本技术公开了一种半导体激光二极管的保护电路，包括主动控制环路电路以及被动限流电路；主动控制环路电路包括运算放大器U1、运算放大器U2以及MOS管Q1，运算放大器U1的同相输入端连接激光二极管电流设定信号Vcset，运算放大器U1的反向输入端连接MOS管Q1的源极，运算放大器U1的输出端连接MOS管Q1的栅极。电阻R1的一端连接MOS管Q1的源极，另一端连接地，运算放大器U2的同相输入端连接MOS管Q1的源极，运算放大器U2的反相输入端连接运算放大器U2的输出端，运算放大器U2的输出端连接激光二极管的电流监测信号Vcmon；本技术通过运算放大器检测激光二极管电流值是否异常，主动给予控制，外加被动限流电路，形成了双保险，显著提高激光二极管的保护可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体激光器，具体为一种半导体激光二极管的保护电路。

技术介绍

1、半导体激光二极管因其体积小、效率高、可以注入电流来驱动和便于对光进行调制的优点，在冷原子物理、量子精密测量以及量子信息领域有着重要的应用。实际中比较常见的有dfb(分布式反馈)、ecdl(外腔)、dbr(分布式布拉格反射)激光管，都有非常好的单色性。但激光管的一个重要特点是价格昂贵，并且和很多芯片一样属静电敏感器件，它的工作电流必须超过阈值电流，小于最大允许电流。一旦发生瞬时电流脉冲太大、以及电流反向等情况，激光二极管非常容易损坏，且这个过程是不可逆的。因此我们必须严格控制激光二极管的驱动电流，使其不发生异常。

2、现有对激光二极管的保护方案大都是被动保护方案，也就是采用无源器件的组合，如电阻、电容和二极管等，来限制激光二极管输入端的电流：因为这些元件一般为分立元件，存在可靠性问题。少部分为主动保护方案，也就是采用监测的方法，采集激光二极管的电流值并与限制值进行比较，从而控制开关的通断，来接通或者切断激光二极管的电流：但遇到程序运行出错或者系统初始状态不明确等情况时反本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光二极管的保护电路,其特征在于：包括主动控制环路电路以及被动限流电路；

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光二极管的保护电路，其特征在于：主动控制环路电路还包括固态继电器U3以及电阻R1，固态控制器U3的被控侧3脚连接电源信号Vcc,被控侧4脚连接MOS管Q1的漏极。

3.根据权利要求2所述的一种半导体激光二极管的保护电路，其特征在于：被动限流电路还包括反向二极管D5、电阻R2和电容C1，电容C1的两端分别接连接激光二极管的两端，反向二极管D5的负极连接激光二极管的正输入端LD+，反向二极管D5的正极连接激光二极管的负输入端LD-。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体激光二极管的保护电路,其特征在于：包括主动控制环路电路以及被动限流电路；

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光二极管的保护电路，其特征在于：主动控制环路电路还包括固态继电器u3以及电阻r1，固态控制器u3的被控侧3脚连接电源信号vcc,被控侧4脚连接mos管q1的漏极。

3.根据权利要求2所述的一种半导体激光二极管的保护电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨仕锋，方声伟，贺轩，
申请(专利权)人：昆山拉姆齐光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：