【技术实现步骤摘要】
本申请涉及材料制备，具体而言，涉及一种提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法。
技术介绍
1、分子筛材料是在透射电子显微镜或扫描透射电子显微镜中，受到高能电子束照射时容易发生不可逆结构损伤的一类材料，这类材料的损伤阈值远低于传统金属或陶瓷。
2、在成像过程中，电子显微成像过程的高能入射电子束会对材料造成严重的热损伤和辐照损失；且为获得清晰图像需要较高电子剂量以保证信噪比，但分子筛材料极低的损伤阈值严重限制了单帧图像的分辨率，导致无法获取真实结构信息。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本专利技术提供一种提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，该方法处理后的分子筛材料适用于在透射电子显微镜或扫描透射电子显微镜下进行高分辨率低剂量成像，材料表面形成的碳膜和金属保护膜能有效抑制电子束对材料结构的破坏，并提高成像分辨率与信噪比。该方法处理后的分子筛材料能够在超低剂量条件下进行逐帧采集与多帧图像融合，在保持材料原子结构完整性的同时，实现亚埃级结构解析，以获取真实结构信息。
2、本本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，其特征在于，所述碳蒸镀处理与所述金属溅射处理均采用镀膜仪进行。
3.根据权利要求1所述提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，其特征在于，所述碳膜的厚度为2 nm-10 nm。
4.根据权利要求1所述提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，其特征在于，所述金属保护膜的厚度为2 nm-20 nm。
5.根据权利要求4所述提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照...
【技术特征摘要】
1.一种提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，其特征在于，所述碳蒸镀处理与所述金属溅射处理均采用镀膜仪进行。
3.根据权利要求1所述提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，其特征在于，所述碳膜的厚度为2 nm-10 nm。
4.根据权利要求1所述提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，其特征在于，所述金属保护膜的厚度为2 nm-20 nm。
5.根据权利要求4所述提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，其特征在于，所述金属保护膜的厚度为10 nm-15 nm。
6.根据权利要求1或2所述提高分子筛材料在电子显微成像中耐辐照损伤的方法，其特征在于，在所述碳蒸镀中，真空度为8×10-4 pa-10×10-4 pa，碳靶材...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓，王国伟，熊昊，杨新安，刘婷，
申请(专利权)人：鄂尔多斯实验室，
类型：发明
国别省市：
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