硅基MEMS太赫兹滤波器制造技术

一种MEMS太赫兹多排过孔基片集成波导滤波器，包括：高阻硅介质、设置于其上下两侧的金属层、设置于上金属层上的若干过孔、一对信号线、感性耦合结构，其中：所有过孔组成内外嵌套的谐振腔结构且与下金属层相连，感性耦合结构位于谐振腔结构内，信号线分别设置于感性耦合结构的两侧。本发明专利技术将高阻硅基MEMS工艺与带通滤波器设计技术相结合，具有结构紧凑、低插损、高选择性等优点，适用于太赫兹无线通信前端系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种太赫兹无线通信领域的技术，具体是一种mems太赫兹多排过孔基片集成波导滤波器。

技术介绍

1、太赫兹滤波器是太赫兹无线通信的前端系统的关键器件之一，在接收机中能够滤除工作频带外的环境噪声和干扰频率，在发射机中能够抑制频带外功率，提高系统电磁兼容性。

2、由于太赫兹滤波器的工作波长很短，器尺寸容差灵敏度也远高于微波毫米波器件，因此对工艺的精度有很高的要求。目前，硅基mems这种半导体前后道就具有很高的工艺精度(微米级)，此外，工艺所用导体和衬底损耗小，结构形式多样，具有良好的高频和高速特性。因此，基于高阻硅的mems工艺非常适用于实现高性能太赫兹滤波器。

技术实现思路

1、本专利技术针对现有技术工作频段较低，边带回波损耗以及插入损耗较大的问题，提出一种mems太赫兹多排过孔基片集成波导滤波器，将高阻硅基mems工艺与带通滤波器设计技术相结合，具有结构紧凑、低插损、高选择性等优点，适用于太赫兹无线通信前端系统。

2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：

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【技术保护点】

1.一种基于高阻硅的MEMS太赫兹多排过孔基片集成波导滤波器，其特征在于，包括：高阻硅介质、设置于其上下两侧的金属层、设置于上金属层上的若干过孔、一对信号线、感性耦合结构，其中：所有过孔组成内外嵌套的谐振腔结构且与下金属层相连，感性耦合结构位于谐振腔结构内，信号线分别设置于感性耦合结构的两侧。

2.根据权利要求1所述的基于高阻硅的MEMS太赫兹多排过孔基片集成波导滤波器，其特征是，所述的上金属层上位于信号线的两侧对称设有缝隙。

3.根据权利要求1所述的基于高阻硅的MEMS太赫兹多排过孔基片集成波导滤波器，其特征是，所述的信号线及其两侧的缝隙组成耦合结构。

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【技术特征摘要】

1.一种基于高阻硅的mems太赫兹多排过孔基片集成波导滤波器，其特征在于，包括：高阻硅介质、设置于其上下两侧的金属层、设置于上金属层上的若干过孔、一对信号线、感性耦合结构，其中：所有过孔组成内外嵌套的谐振腔结构且与下金属层相连，感性耦合结构位于谐振腔结构内，信号线分别设置于感性耦合结构的两侧。

2.根据权利要求1所述的基于高阻硅的mems太赫兹多排过孔基片集成波导滤波器，其特征是，所述的上金属层上位于信号线的两侧对称设有缝隙。

3.根据权利要求1所述的基于高阻硅的mems太赫兹多排过孔基片集成波导滤波器，其特征是，所述的信号线及其两侧的缝隙组成耦合结构。

4.根据权利要求1所述的基于高阻硅的mems太赫兹多排过...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱良丰，吴林晟，毛军发，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：