【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属材料加工,特别是指一种多道次温轧制备超细晶压延铜箔的方法。
技术介绍
1、随着电子信息产业的飞速发展,对铜箔的性能要求日益提高。压延铜箔因具有良好的延展性、抗弯曲性和导电性等优势,在电子工业领域得到广泛应用,如柔性线路板、5g/6g 通讯、电磁屏蔽、散热、石墨烯薄膜制备、电池、led、汽车等。在众多应用场景中,尤其是高端电子设备,对具有超细晶结构的压延铜箔需求迫切,因为超细晶结构可显著提升铜箔的综合性能,如强度、导电性和耐疲劳性能等。传统的压延铜箔制备方法,通常是对高精度铜带进行反复轧制—退火处理。然而,这种常规工艺难以获得理想的超细晶结构,导致铜箔在性能上无法满足日益增长的高端应用需求。目前,虽然也有一些尝试通过改进工艺来细化晶粒的方法,但普遍存在工艺复杂、成本高昂、生产效率低以及产品质量不稳定等问题。
2、因此,开发一种高效、低成本且能够稳定制备出具有优异性能的超细晶压延铜箔的方法具有重要的现实意义。
技术实现思路
1、为了解决现有技术存在的难以获得理想超
...【技术保护点】
1.一种多道次温轧制备超细晶压延铜箔的方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的多道次温轧制备超细晶压延铜箔的方法,其特征在于,所述S1中热轧铜带厚度为1mm – 1.5mm。
3.根据权利要求1所述的多道次温轧制备超细晶压延铜箔的方法,其特征在于,所述步骤S2采用10% - 15% 的硫酸溶液进行酸洗,酸洗时间为5 – 10min;去离子水冲洗时间不少于5min;热风干燥的温度为80 - 100℃。
4.根据权利要求1所述的多道次温轧制备超细晶压延铜箔的方法,其特征在于,所述步骤S3中多道次温轧具体工艺参数为:
...【技术特征摘要】
1.一种多道次温轧制备超细晶压延铜箔的方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的多道次温轧制备超细晶压延铜箔的方法,其特征在于,所述s1中热轧铜带厚度为1mm – 1.5mm。
3.根据权利要求1所述的多道次温轧制备超细晶压延铜箔的方法,其特征在于,所述步骤s2采用10% - 15% 的硫酸溶液进行酸洗,酸洗时间为5 – 10min;去离子水冲洗时间不少于5min;热风干燥的温度为80 - 100℃。
4.根据权利要求1所述的多道次温轧制备超细晶压延铜箔的方法,其特征在于,所述步骤s3中多道次温轧具体工艺参数为:
5.根据权利要求1所述的多...
【专利技术属性】
技术研发人员:李勇,武如豫,胡嘉浩,刘玉峰,梁淑贞,张成禹,肖思琪,
申请(专利权)人:江西理工大学,
类型:发明
国别省市:
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