一种低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料及其制备方法和应用技术

技术编号:46593460 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-10 21:27
本发明专利技术公开了一种低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料及其制备方法和应用,属于导电浆料技术领域;本发明专利技术的低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料,按重量份数计,包括1~3质量份低缺陷寡层石墨烯、100质量份超纯水、0.8~1.2质量份导电添加剂;所述低缺陷寡层石墨烯是先对石墨粉进行室温插层,再进行化学膨胀,然后采用5'‑腺嘌呤核苷酸盐的水溶液水相剥离得到;所述导电添加剂为两亲性聚噻吩;所述两亲性聚噻吩是以2,5‑二溴‑3‑三乙二醇单甲醚噻吩、3‑[10‑(4‑甲苯醚)癸基)]噻吩为单体进行聚合后采用溴化氢和无水乙酸酐处理得到;本发明专利技术制备的低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料的石墨烯缺陷少,分散性好,导电性佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料及其制备方法和应用


技术介绍

1、随着新能源产业的快速发展,对高性能导电材料的需求日益增长。石墨烯作为一种具有优异导电性、高比表面积和良好机械性能的二维材料,在电池、超级电容器及导电涂层等领域展现出广阔的应用前景。其中,寡层石墨烯(≤5层)因其较低的电子传输阻力和较高的结构完整性,被认为是理想的导电剂载体。

2、然而,传统石墨烯制备方法存在诸多限制其性能发挥的问题。例如,广泛使用的hummers法制备氧化石墨烯(go),再通过高温还原获得石墨烯的方法,容易导致片层之间发生堆积,并在还原过程中产生大量结构缺陷,这显著影响了最终材料的导电性能。此外,还原不完全的含氧官能团残留也会进一步降低石墨烯的导电性。

3、在水性体系中,石墨烯由于其强范德华力和π-π相互作用,极易发生团聚,因此通常需要添加分散剂来提高其分散稳定性。然而,分散剂的使用也带来一系列问题,如过量的分散剂会吸附在石墨烯表面,占据活性位点,阻碍其与电极材料之间的直接接触,从而削弱导电网络的构建;部分分散剂在电池体系中的残留可能导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料,其特征在于,按质量份数计,原料组分包括1~3质量份低缺陷寡层石墨烯、100质量份超纯水、0.8~1.2质量份导电添加剂。

2.根据权利要求1所述的低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料,其特征在于,所述低缺陷寡层石墨烯是先对石墨粉进行室温插层,再进行化学膨胀,然后采用2’,3’-二脱氧腺苷5’-三磷酸盐的水溶液水相剥离得到。

3.根据权利要求1所述的低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料,其特征在于,所述导电添加剂采用两亲性聚噻吩。

4.根据权利要求3所述的低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料,其特征在于,所述两亲性聚噻吩是以2,5-二溴-3...

【技术特征摘要】

1.一种低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料,其特征在于,按质量份数计,原料组分包括1~3质量份低缺陷寡层石墨烯、100质量份超纯水、0.8~1.2质量份导电添加剂。

2.根据权利要求1所述的低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料,其特征在于,所述低缺陷寡层石墨烯是先对石墨粉进行室温插层,再进行化学膨胀,然后采用2’,3’-二脱氧腺苷5’-三磷酸盐的水溶液水相剥离得到。

3.根据权利要求1所述的低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料,其特征在于,所述导电添加剂采用两亲性聚噻吩。

4.根据权利要求3所述的低缺陷寡层石墨烯水性导电浆料,其特征在于,所述两亲性聚噻吩是以2,5-二溴-3-三乙二醇单甲醚噻吩、3-[10-(4-甲苯醚)癸基)]噻吩、2,4,6-三(5-溴噻吩-2-基)-1,3,5-三嗪为聚合单体进行聚合后采用溴化氢和无水乙酸酐处理得到。

5.一种如权利要求1~4任一项所述的低缺陷寡...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙培育许健君刘刚桥孙培强
申请(专利权)人:江苏杉元科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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