【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高集成度soc芯片，特别涉及一种对ddr内存与soc芯片整体温控的方法、装置及电子设备。
技术介绍
1、高集成度soc（system on chip，片上系统）芯片是各种类型的智能设备的大脑，从智能手机、可佩戴设备、智能医疗设备，到无人驾驶汽车，soc芯片无处不在。soc芯片设计中会预埋温度传感器，以监控高soc芯片的温度，并对soc芯片进行温控，保证soc芯片自身的性能、功耗以及温度的平衡。
2、专利技术人在实现本专利技术的过程中发现：在终端、手表等各类对体积有要求的电子设备中，可能会将soc芯片和ddr内存（double data rate，双倍数据速率动态随机存取存储器）封装在一起。但是soc芯片和ddr内存都是功耗器件，工作过程中会产生大量的热量，导致两个部件的温度升高，从而会导致soc芯片和ddr内存的功耗较高，且温度升高会影响soc芯片和ddr内存的性能，因此，亟需要提供一种对ddr内存与soc芯片整体温控的方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是...
【技术保护点】
1.一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法，其特征在于，应用于在空间上将DDR内存与SOC芯片集成封装的电子设备，所述SOC芯片包括DDR控制器，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一温度和第二温度，确定应采取的温度调控策略，并根据所述温度调控策略执行所述DDR内存与SOC芯片的整体温度调控操作，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一温度和第二温度，确定应采取的温度调控策略，并根据所述温度调控策略执行所述D...
【技术特征摘要】
1.一种对ddr内存与soc芯片整体温控的方法，其特征在于，应用于在空间上将ddr内存与soc芯片集成封装的电子设备，所述soc芯片包括ddr控制器，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一温度和第二温度，确定应采取的温度调控策略，并根据所述温度调控策略执行所述ddr内存与soc芯片的整体温度调控操作，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一温度和第二温度，确定应采取的温度调控策略，并根据所述温度调控策略执行所述ddr内存与soc芯片的整体温度调控操作，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述在温控...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖佳伟，
申请(专利权)人：厦门紫光展锐科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。