一种提升DEVM的动态偏置电路制造技术

技术编号:46585894 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-10 21:22
本发明专利技术涉及无线通信技术领域,具体地说,涉及一种提升DEVM的动态偏置电路;利用BiCMOS的高集度,为输出级动态偏置电路提供随HBT结温变化的基准电压VREF。当放大器工作在长数据包传输模式时,HBT的结温变高,放大器的功率增益开始下降,电压源偏置电路PTAT检测到温度上升,基准电压VREF将会变大,补偿了增益的下降。在整个长数据包传输期间增益将保持稳定,从而优化了DEVM的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线通信,具体地说,涉及一种提升devm的动态偏置电路。


技术介绍

1、越来越多的无线互联网用户要求高速数据访问,在密集的环境中(酒店、咖啡馆、体育场、机场、车站、餐馆……),新的无线通信标准还必须确保稳定和连续。为了实现更高效的通信并增加信道容量,一些射频系统现在使用1024态正交幅度调制(qam)。传输的信息包括了幅度和相位,当pa输出功率接近压缩点时,出现非线性失真并产生带内干扰。这些非线性主要源于am到am和am到pm的畸变。使用evm评估pa线性,以测量实际发射数据位置与其在i/q星座内的理想位置的偏差。功率放大器的电热瞬态响应(特别是功率增益)会根据pa的工作环境,包括占空比(pa on关)、数据包长度、电源电压的不同而产生变化。因此,动态evm(devm)的概念更加合理,特别是在宽温度范围的应用中,必须使用它来代替静态evm。

2、传统上,evm计算基于am至am失真(δgp)和am至pm失真(δθ),两者均作为输出功率范围的函数引入。这些非线性强烈依赖于输出功率、负载阻抗和静态电流。然而,这种静态方法不能捕捉动态行本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提升DEVM的动态偏置电路,与输出级动态偏置电路连接;其特征在于,包括上电启动单元、带隙基准电压单元、高温补偿单元;

2.根据权利要求1所述的一种提升DEVM的动态偏置电路,其特征在于,所述上电启动单元包括晶体管Qs1、晶体管Qs2、MOS管J1、晶体管Qs3;

3.根据权利要求2所述的一种提升DEVM的动态偏置电路,其特征在于,所述带隙基准电压单元包括带隙基准结构、电流镜单元;

4.根据权利要求3所述的一种提升DEVM的动态偏置电路,其特征在于,所述电流镜单元包括晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q7、晶体管Q8、晶体管Q9、晶体管Q...

【技术特征摘要】

1.一种提升devm的动态偏置电路,与输出级动态偏置电路连接;其特征在于,包括上电启动单元、带隙基准电压单元、高温补偿单元;

2.根据权利要求1所述的一种提升devm的动态偏置电路,其特征在于,所述上电启动单元包括晶体管qs1、晶体管qs2、mos管j1、晶体管qs3;

3.根据权利要求2所述的一种提升devm的动态偏置电路,其特征在于,所述带隙基准电压单元包括带隙基准结构、电流镜单元;

4.根据权利要求3所述的一种提升devm的动态偏置电路,其特征在于,所述电流镜单元包括晶体管q3、晶体管q4、晶体管q5、晶体管q7、晶体管q8、晶体管q9、晶体管q10、晶体管q11、晶体管q12、电阻r5、电阻r6、电阻r7;

5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:张曳龚海波杨容姚静石
申请(专利权)人:成都明夷电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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