【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电气工程，具体涉及一种基于双极型线圈的压接型igbt器件的电流测量方法及装置。
技术介绍
1、igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)作为全控型功率半导体器件的代表，它结合了双极结型晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管的优点，具有高耐压、大电流处理能力和低驱动功率等特性，近年来已广泛应用于柔性直流输电、电机驱动、家用电器、新能源汽车等众多领域，尤其是在高压直流输电系统中，绝缘栅双极型晶体管的性能直接影响到整个系统的稳定性和效率。由于igbt通常由多个芯片并联以提高通流能力，了解这些芯片在开通和关断过程中的电流分布情况至关重要，不均匀的电流分布可能导致某些芯片承受过大的电流，从而影响igbt的可靠性和寿命，因此，精确的电流分布测量对于评估和优化igbt的性能至关重要。
2、相关技术中，针对压接型igbt器件的封装结构，设计了集成igbt器件内部的罗氏线圈，罗氏线圈在测量精度上达到了商用电流传感器的水平，但是这种测量方法影响了压接型igbt器件的内部封装结构...
【技术保护点】
1.一种基于双极型线圈的压接型IGBT器件的电流测量方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述基于双极型线圈的压接型IGBT器件的电流测量方法，其特征在于，将双极型线圈组固定设置在所述至少两个滑动装置上，其中，所述双极型线圈组包括两个相对设置的双极型线圈，两个所述双极型线圈分别设置在两个所述滑动装置上，包括：
3.根据权利要求2所述的基于双极型线圈的压接型IGBT器件的电流测量方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求2所述的基于双极型线圈的压接型IGBT器件的电流测量方法，其特征在于，将所述至少两个滑动装置...
【技术特征摘要】
1.一种基于双极型线圈的压接型igbt器件的电流测量方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述基于双极型线圈的压接型igbt器件的电流测量方法，其特征在于，将双极型线圈组固定设置在所述至少两个滑动装置上，其中，所述双极型线圈组包括两个相对设置的双极型线圈，两个所述双极型线圈分别设置在两个所述滑动装置上，包括：
3.根据权利要求2所述的基于双极型线圈的压接型igbt器件的电流测量方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求2所述的基于双极型线圈的压接型igbt器件的电流测量方法，其特征在于，将所述至少两个滑动装置按照预设转动角速度在所述滑道上沿着同一方向滑动，包括：
5.根据权利要求4所述的基于双极型线圈的压接型igbt器件的电...
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