【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光阻抗蚀剂，特别涉及一种针对厚光阻抗蚀剂的剥除液及制备方法。
技术介绍
1、在半导体制造、印刷电路板加工及精密电子器件生产等领域，光阻抗蚀剂作为图形转移的关键材料，其后续剥除工艺直接影响产品的良率与性能。光阻抗蚀剂剥除液作为该工艺的核心耗材，需在高效去除光阻抗蚀剂的同时，避免对基材造成腐蚀或损伤，因此其性能优化一直是行业研究的重点。
2、常见的光阻抗蚀剂剥除液有酸性、中性和碱性溶液等类型。酸性溶液适用于无金属层的工艺，可有效去除光阻抗蚀剂且不损伤底层；中性溶液用于涉及ph敏感层的工艺，能维持ph平衡，避免损伤；碱性溶液则用于剥离在高烘烤条件下的光阻抗蚀剂，对因长时间烘烤而硬化的光阻抗蚀剂材料分解效果较好。
3、厚光阻抗蚀剂因涂层较厚、分子间交联密度高、且经高温烘烤后易形成了坚硬的三维网络结构，与基材结合力大，常规剥除液难以渗透和破坏其与基材的结合，故而对于厚光阻抗蚀剂，常规剥除方法是延长剥除时间、提高剥除液温度和浓度，但这会影响产能产量，增加生产成本的同时加剧对基材的侵蚀，还会影响产品良率和可靠性。p>
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【技术保护点】
1.一种针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于，按照质量份数，其包括：
2.如权利要求1所述的针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于：
4.如权利要求1所述的针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于，所述聚硅酸铁溶液的制备方法为：
5.如权利要求4所述的针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于：
6.如权利要求1所述的针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于：
7.如权利要求1所述的针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于：
8.如权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于，按照质量份数，其包括：
2.如权利要求1所述的针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于：
4.如权利要求1所述的针对厚光阻抗蚀剂的剥除液，其特征在于，所述聚硅酸铁溶液的制备方法为：
5.如权利要求4所述的针对厚光阻抗...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈敬伦，
申请(专利权)人：南通得安电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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