用于优化导电膜中由Ｈ＋质子和／或ＯＨ－离子的位移提供的电导率的方法技术

本发明专利技术涉及用于优化导电膜中由Ｈ↑［＋］质子和／或ＯＨ↑［－］离子的位移提供的电导率的方法，该导电膜由允许蒸汽插入所述膜的材料制成，其中所述方法包括下述步骤：在压力下将包含蒸汽的气体流插入所述膜，以在特定分压下迫使所述蒸汽进入所述膜，从而在给定温度下获得期望电导率，所述分压高于或等于１巴，工作温度的下降通过增大所述分压来补偿，从而获得相同的期望电导率。本发明专利技术可以在以下领域中尤为令人感兴趣地被使用：用于生产氢的高温水电解、使用氢燃料的燃料电池的制造以及氢的分离和纯化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
用于优化导电膜中由Ｈ↑［＋］质子和／或ＯＨ↑［－］离子的位移提供的电导率的方法，该导电膜由允许蒸汽插入所述膜的材料制成，其中所述方法包括下述步骤：在压力下将包含蒸汽的气体流插入所述膜，以在特定分压下迫使所述蒸汽进入所述膜，从而在给定温度下获得期望电导率，所述分压高于或等于１巴，工作温度的下降通过增大所述分压来补偿，从而获得相同的期望电导率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B萨拉，O拉克罗克斯，S维勒曼，K拉莫尼，竹之内久，A范德利，P科隆邦，P格里奥，B邦热里乌赛德热拉里，
申请(专利权)人：阿海珐核能公司，陶瓷技术公司，阿美尼斯，国家科学研究中心，
类型：发明
国别省市：FR[法国]