【技术实现步骤摘要】
本技术涉及led器件制造，具体涉及一种监测大电流冲击的led结构。
技术介绍
1、过电应力（eos）失效是电子器件因受到超出其设计规格的电压或电流而造成的损坏。eos失效通常由长时间（几微秒到几秒）持续的过压或大电流引起，导致局部过热，可能造成芯片内部连接电阻发热，进而对芯片结构造成破坏性损坏。eos的产生可能由多种因素引起，包括外界雷电浪涌的感应、电源瞬态上电引起的浪涌、电路板上开关器件及电路导致的高压尖峰、不良的pcb接地连接走线、强电磁环境干扰、mcu及ic控制器的开关操作、热插拔引起的浪涌冲击、以及esd的存在等。
2、针对eos失效，常规的led产品往往在结构内部加入齐纳二极管芯片，确保led在安全的工作电压范围内运行。但是目前led结构内部所有的保护芯片都只能提供过压保护，在电压超过其设定时将多余的电压钳位在安全水平，防止过高的电压对led造成损害。针对过电流冲击，我们往往只能通过优化电路设计或使用保护电路来进行防护，目前没有自生能够提供过流保护的led产品。
3、上述问题是目前亟待解决的。
<...【技术保护点】
1.一种监测大电流冲击的LED结构，其特征在于，所述LED结构包括：支架（1）、发光二极管芯片（2）、引线（3）、热致发光材料（4）、光电二极管芯片（5）、电阻（6）和电极（7），所述电极（7）固定在所述支架（1）内侧，所述发光二极管芯片（2）键合在所述支架（1）一侧电极（7）上，所述电阻（6）键合在所述支架（1）另一侧电极（7）上，所述光电二极管芯片（5）与所述电阻（6）键合在同一侧电极（7）上，所述发光二极管芯片（2）与所述电阻（6）通过引线（3）电连接，所述光电二极管芯片（5）与发光二极管芯片（2）所键合的电极（7）通过引线（3）电连接，所述热致发光材料（4）涂...
【技术特征摘要】
1.一种监测大电流冲击的led结构，其特征在于，所述led结构包括：支架（1）、发光二极管芯片（2）、引线（3）、热致发光材料（4）、光电二极管芯片（5）、电阻（6）和电极（7），所述电极（7）固定在所述支架（1）内侧，所述发光二极管芯片（2）键合在所述支架（1）一侧电极（7）上，所述电阻（6）键合在所述支架（1）另一侧电极（7）上，所述光电二极管芯片（5）与所述电阻（6）键合在同一侧电极（7）上，所述发光二极管芯片（2）与所述电阻（6）通过引线（3）电连接，所述光电二极管芯片（5）与发光二极管芯片（2）所键合的电极（7）通过引线（3）电连接，所述热致发光材料（4）涂覆在所述电阻（6）周围，当led受到过电流的冲击时，电阻（6）受电应力影响温度升高，热致发光材料（4）受热发光，热致发光材料（4）受热激发的光被光电二极管芯片（5）接收产生光生电流，进而向电路反馈电信号使其执行电路保护流程。
2.根据权利要求1所述的监测大电流冲击的led结构，其特征在于，所述电路保护流程包括电流分流或电流截断操作。
3.根据权利要求1所述的监测大电流冲击的led结构，其特征在于，所述led结构还包括：封装组件，所述封装组件包括封装胶，利用所述封装胶对所述led结构中的光电二极管芯片（5）和发光二极管芯片（2）进行...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵桢威，李玉清，潘锦涛，方涛，
申请(专利权)人：常州星宇车灯股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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