高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器制造技术

一种高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，包括：四个环状连接的振荡核心，其中：每个振荡核心的Dn,+端通过两个电感LD与相邻的振荡核心的Dn,‑端相连，每个振荡核心的Gp,+端通过两个电感LP与相邻的振荡核心的Gp,‑端相连，每个振荡核心的Gn,+端通过四个电感LG与相对的振荡核心的Gn,‑端相连。本发明专利技术通过三、五次谐波谐振腔对输出信号进行整形，并结合噪声循环技术，同时降低噪声源和噪声源到相位噪声的转换，实现噪声性能优化的同时能够输出GHz以上频率的低噪声时钟信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种无线通信领域的技术，具体是一种高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器。

技术介绍

1、在现有的多核耦合振荡器中，主要使用的是电感品质因数增强技术，通过多个电感间的同向耦合，等效提高品质因数，优化噪声性能，或是采用多路径同步方案结合谐波控制技术，降低振荡核心之间的频率失配的同时通过谐波控制优化相位噪声。但现有的四核压控振荡技术功耗较高且噪声性能较差。

技术实现思路

1、本专利技术针对现有技术存在的上述不足，提出一种高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，通过三、五次谐波谐振腔对输出信号进行整形，并结合噪声循环技术，同时降低噪声源和噪声源到相位噪声的转换，实现噪声性能优化的同时能够输出ghz以上频率的低噪声时钟信号。

2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：

3、本专利技术涉及一种高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，包括：四个环状连接的振荡核心，其中：每个振荡核心的dn,+端通过两个电感ld与相邻的振荡核心的dn,-端相连，每个振荡核心的gp,+端通过两个电感lp与相邻的振荡本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，其特征在于，包括：四个环状连接的振荡核心，其中：每个振荡核心的Dn,+端通过两个电感LD与相邻的振荡核心的Dn,-端相连，每个振荡核心的Gp,+端通过两个电感LP与相邻的振荡核心的Gp,-端相连，每个振荡核心的Gn,+端通过四个电感LG与相对的振荡核心的Gn,-端相连；

2.根据权利要求1所述的高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，其特征是，所述的分段式环形三线变压器中：第一变压器包括：设置于第一振荡核心1与第二振荡核心2之间且连接Dn,+端与Dn,-端的电感LD,12、连接Gp,+端与Gp,-端的电感LP,12、设置于第一振荡核心1...

【技术特征摘要】

1.一种高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，其特征在于，包括：四个环状连接的振荡核心，其中：每个振荡核心的dn,+端通过两个电感ld与相邻的振荡核心的dn,-端相连，每个振荡核心的gp,+端通过两个电感lp与相邻的振荡核心的gp,-端相连，每个振荡核心的gn,+端通过四个电感lg与相对的振荡核心的gn,-端相连；

2.根据权利要求1所述的高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，其特征是，所述的分段式环形三线变压器中：第一变压器包括：设置于第一振荡核心1与第二振荡核心2之间且连接dn,+端与dn,-端的电感ld,12、连接gp,+端与gp,-端的电感lp,12、设置于第一振荡核心1与第三振荡核心3之间且连接gn,+端与gn,-端的电感lg,13-1、设置于第二振荡核心2和第四振荡核心4之间且连接gn,+端与gn,-端的电感lg,42-2;

3.根据权利要求2所述的高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，其特征是，在连接相邻两个振荡核心之间的电感中，ld,12、ld,23、ld,34、ld,41的抽头为vdd端，lp,12、lp,23、lp,34、lp,41的抽头为vb,p端，连接非相邻振荡核心之间的电感lg,13、lg,24、lg,31、lg,42的抽头为vb,n端。

4.根据权利要求2所述的高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，其特征是，所述的电感ld,12、ld,23、ld,34、ld,41与lp,12、lp,23、lp,34、lp,41之间均为同向耦合，使同侧的nmos管和pmos管同时处于导通或者关断状态，降低注入谐振腔的噪声电流。

5.根据权利要求1所述的高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，其特征是，所述的振荡核心包括：nmos晶体管对m1、m2、pmos晶体管对m3、m4、可变电容阵列和开关电容阵列，其中：第一nmos晶体管m1的漏端与电容阵列cd中开关电容阵列的csw,+端、可变电容阵列的cvar,+端相连，构成振荡核心的dn,+端，第一nmos晶体管m1的栅端与电容阵列cg中开关电容阵列的csw,+端、可变电容阵列的cvar,+端相连，构成振荡核心的gn,+端；第二nmos晶体管m2的漏端与电容阵列cd中开关电容阵列的csw,-端、可变电容阵列的cvar,-端相连，构成振荡核心的dn,-端，第二nmos晶体管m2的栅端与电容阵列cg中开关电容阵列的csw,-端、可变电容阵列的cvar,-端相连，构成振荡核心的gn,-端；第三pmos晶体管m3的栅端与开关电容阵列cp的csw,+端相连，构成振荡核心的gp,+端，第三pmos晶体管m3的栅端与开关电容阵列cp的csw,-端相连，构成振荡核心的gp,-端。

6.根据权利要求5所述的高次谐波控制的低噪声四核压控振荡器，其特征是，所述的可变电容阵列包括：一对交流耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨超，汪胜，蒋颖丹，刘晓鸣，金晶，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：