【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学检测,特别涉及一种aoi检测光源及检测系统。
技术介绍
1、在半导体硅片方面,微短和微缺陷(如由杂质或点缺陷聚集形成的缺陷、位错和层错等)的检测尤为关键。这些缺陷的尺寸往往极小,通常仅为几十微米,或仅为几微米,给检测带来了极大的挑战。
2、在pcb板前道线路的质量检测中,荚膜和底铜等缺陷的检出同样具有挑战性。荚膜缺陷通常是由于电镀过程中抗镀膜层太薄或板件图形分布不均匀等原因造成的,它会导致直接短路,严重影响pcb板的性能和良率。而底铜缺陷则可能由于电镀不均匀或铜材质量不佳等原因造成,它会影响pcb板的导电性能和可靠性。
3、传统的检测方法难以捕捉到这些微小的异常,因此,业界开始采用更为先进的检测技术。而aoi光学检测系统虽然通过高分辨率相机成像技术,能够无损地探查缺陷,但是仍然无法针对半导体硅片、pcb板前道线路等的质量检测中所遇到的微短、荚膜、底铜等缺陷进行检出。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服
技术介绍
中所存在的aoi光学检测系统无法 ...
【技术保护点】
1.一种AOI检测光源,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的AOI检测光源,其特征在于,所述第三光源(23)和第三导光面(7)位于所述第一导光面(5)远离所述第二光源(22)的一侧。
3.根据权利要求2所述的AOI检测光源,其特征在于:
4.根据权利要求1所述的AOI检测光源,其特征在于,所述第一导光面(5)、第二导光面(6)和第三导光面(7)均沿第一方向延伸;所述第一导光面(5)在第一方向上的投影为直线;所述第二导光面(6)和第三导光面(7)在第一方向上的投影为凹曲线;
5.根据权利要求1所述的AOI检测光源,
...【技术特征摘要】
1.一种aoi检测光源,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的aoi检测光源,其特征在于,所述第三光源(23)和第三导光面(7)位于所述第一导光面(5)远离所述第二光源(22)的一侧。
3.根据权利要求2所述的aoi检测光源,其特征在于:
4.根据权利要求1所述的aoi检测光源,其特征在于,所述第一导光面(5)、第二导光面(6)和第三导光面(7)均沿第一方向延伸;所述第一导光面(5)在第一方向上的投影为直线;所述第二导光面(6)和第三导光面(7)在第一方向上的投影为凹曲线;
5.根据权利要求1所述的aoi检测光源,其特征在于,两个所述第二导光面(6)对称设置,且两个所述第二导光面(6)之间具有供所述第一光束通过的空间;
6.根据权利要求1-5任一所述的aoi检测光源,其特征在于,包括外壳(1)...
【专利技术属性】
技术研发人员:霍永峰,石新宇,杨键,
申请(专利权)人:成都恒坤视讯光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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