【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅片加工设备,具体地涉及清洗设备。
技术介绍
1、硅片(或称“硅晶片”)是半导体工业生产中最基本的材料之一,它是采用单晶硅或多晶硅制造而成的高纯度的薄片。硅片通常为圆形,直径从几毫米到几百毫米不等,厚度通常在0.2毫米至1.5毫米之间。硅片具有良好的电学特性和光学性能,广泛应用于集成电路、太阳能电池、通讯设备等诸多领域。
2、清洗工序是硅片制造过程中至关重要的一个环节。在硅片的制造和加工过程中,硅片表面容易被各种杂质和残留物所污染,例如油脂、氧化物、粉尘等。这些杂质会降低硅片的电性能和光学性能,因此,需要采用特定的清洗设备对硅片进行清洗,以保证硅片表面的光洁度和平整度,提高硅片性能的稳定性。
3、在实际酸洗过程中,放置在花篮中的硅片需要浸没在酸洗槽中才能确保良好的酸洗效果,使得酸洗槽内的酸洗液容易从酸洗槽中溢出。这样,不仅会造成酸洗液的浪费,增加加工成本,而且会污染环境。
4、因此,本领域需要一种新的技术方案来解决上述问题。
技术实现思路
1、
...【技术保护点】
1.一种清洗设备,其特征在于,所述清洗设备包括:
2.根据权利要求1所述的清洗设备,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的清洗设备,其特征在于,所述第一酸洗槽、所述第二酸洗槽和所述第三酸洗槽内的所述酸洗液的类型是相同的。
4.根据权利要求3所述的清洗设备,其特征在于,所述第一酸洗槽、所述第二酸洗槽和所述第三酸洗槽内的所述酸洗液的浓度分别为C1、C2和C3,其中,C1≤C2≤C3。
5.根据权利要求3所述的清洗设备,其特征在于,所述酸洗液为氢氟酸、盐酸、硫酸、硝酸中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的清洗设
...【技术特征摘要】
1.一种清洗设备,其特征在于,所述清洗设备包括:
2.根据权利要求1所述的清洗设备,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的清洗设备,其特征在于,所述第一酸洗槽、所述第二酸洗槽和所述第三酸洗槽内的所述酸洗液的类型是相同的。
4.根据权利要求3所述的清洗设备,其特征在于,所述第一酸洗槽、所述第二酸洗槽和所述第三酸洗槽内的所述酸洗液的浓度分别为c1、c2和c3,其中,c1≤c2≤c3。
5.根据权利要求3所述的清洗设备,其特征在于,所述酸洗液为氢氟酸、盐酸、硫酸、硝酸中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的清洗设备,其特征在于,所述酸洗槽具有沿其长度方向彼此相对的第一端和第二端...
【专利技术属性】
技术研发人员:左景武,左晓昆,李新业,黄剑,陈红,
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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