一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路制造技术

本发明专利技术涉及一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路，属于集成电路设计领域。该电路包括过冲电压放大模块、下冲电压放大模块和调整模块；过冲电压放大模块在负载电流由重载突变到轻载时发挥作用，将输出端的瞬态过冲电压放大，并将放大后的电压传送至调整模块，然后调整模块开启，对功率管栅极进行充电，增强功率管栅极摆率。下冲电压放大模块在负载电流由轻载突变到重载时发挥作用，将输出端的瞬态下冲电压放大，并将放大后的电压传送至调整模块，然后调整模块开启，对功率管栅极进行放电，增强功率管栅极摆率。调整模块在负载电流稳定时处于关断状态。本发明专利技术改善瞬态响应特性的同时实现低功耗设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路设计领域，涉及一种面向大面阵图像传感器的ldo低功耗瞬态增强电路。

技术介绍

1、低压差线性稳压器(low dropout regulator, ldo)在大面阵图像传感器芯片及集成系统中扮演着至关重要的角色，它能够为各种敏感的电子设备提供稳定而精确的电源。随着技术的发展，电子设备对电源的要求越来越高，不仅需要电压稳定，还需要快速响应瞬态变化，以保证设备在各种工作条件下的性能和可靠性。然而，随着电子设备对电源性能要求的不断提高，ldo在瞬态响应方面面临着新的挑战。负载的快速变化会导致输出电压的瞬态波动，低功耗瞬态增强电路能够在不显著增加功耗的前提下，显著提升ldo的瞬态响应能力，快速抑制负载变化引起的电压波动，从而确保输出电压的稳定性。因此，设计一种面向ldo的低功耗瞬态增强电路具有极其重要的意义。

2、传统瞬态增强电路有动态偏置电路和摆率增强电路。动态偏置电路如图1所示，图1中，vin为输入电压，ms为采样管，mp为p型功率管，n为mp与ms的尺寸比， ims为流过ms管的电流，ea为误差放大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路，其特征在于，包括过冲电压放大模块、下冲电压放大模块和调整模块；所述过冲电压放大模块和下冲电压放大模块的输入端与LDO输出端连接，输出端与调整模块相连；所述调整模块具有两个输入端，第一输入端与过冲电压放大模块连接，第二输入端与下冲电压放大模块连接，输出端与LDO功率管栅极连接；

2.根据权利要求1所述的LDO低功耗瞬态增强电路，其特征在于，所述过冲电压放大模块包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第一电容C1、第一电阻R1和第三电阻R3；第一MOS管M1的栅极通过第一电容C1与LDO输出端连接，还通过第一电阻R1连接至参...

【技术特征摘要】

1.一种面向大面阵图像传感器的ldo低功耗瞬态增强电路，其特征在于，包括过冲电压放大模块、下冲电压放大模块和调整模块；所述过冲电压放大模块和下冲电压放大模块的输入端与ldo输出端连接，输出端与调整模块相连；所述调整模块具有两个输入端，第一输入端与过冲电压放大模块连接，第二输入端与下冲电压放大模块连接，输出端与ldo功率管栅极连接；

2.根据权利要求1所述的ldo低功耗瞬态增强电路，其特征在于，所述过冲电压放大模块包括第一mos管m1、第二mos管m2、第一电容c1、第一电阻r1和第三电阻r3；第一mos管m1的栅极通过第一电容c1与ldo输出端连接，还通过第一电阻r1连接至参考电压端vref；第一mos管m1的源极通过第三电阻r3接地；第二mos管m2的漏极与第一mos管m1的漏极连接，栅极连接至电池电压vbp，源极与调整模块和ldo输出端连接。

3.根据权利要求1所述的ldo低功耗瞬态增强电路，其特征在于，所述下冲电压放大模块包括第四mos管m4~第七mos管m7、第二电阻r2和第二电容c2；第四mos管m4的源极与ldo输出端连接，栅极和漏极均与第五mos管m5的源极连接；第五mos管m5的栅极和漏极均与第六mos管m6的源极连接；第六mos管m6的栅极与第七mos管m7的栅极连接，还通过第二电阻r2连接至参考电压端vref，还通过第二电容c2与ldo输出端连接；第七mos管m7的漏极与第六mos管m6的漏极和调整模块连接，源极接地。

4.根据权利要求2或3所述的ldo低功耗瞬态增强电路，其特征在于，所述调整模块包括第三mos管m3、第八mos管m8、第四电阻r4和第五电阻r5；第三mos管m3源极与ldo输出端连接，栅极与过冲电压放大模块的第二m...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐枋，
申请(专利权)人：金凤实验室，
类型：发明
国别省市：