钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体及其制备方法，所述晶体的化学式为Ho,Pr:CaSrBaF6或Ho,Pr:MeCaSrBaF9，其中钬的掺杂浓度为0.5～1.5at.％，镨的掺杂浓度为0.05～0.15at.％，Me选自镧、钇、钆、钪、镥、铝、镓中的一种。与现有技术相比，本发明专利技术具有广泛的吸收范围，以及高荧光强度、长荧光寿命的中红外激光输出能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于激光材料及其制备，涉及一种钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体及其制备方法。

技术介绍

1、近年来，多熵材料由于其在物理化学等方面的突出性质，受到了研究者和产业界的广泛关注。其中中熵材料主要是由3～4种主元素组成，各元素的原子百分比接近等摩尔比例(通常在5～35％之间)，其混合熵(δsmix)介于传统材料和高熵材料之间，通常范围为1.0r～1.5r(r为气体常数，8.314j/(mol·k))。相较于传统材料和高熵材料来说，中熵材料主要有以下四个优势：

2、1、加工与成本优势，中熵材料由3～4种主元素组成，元素种类较少且成分调控更简单；

3、2、强塑性平衡更优，中熵材料通过微观结构设计(如层状异质结构、纳米孪晶等)突破传统材料的强度-塑性矛盾；

4、3、应用场景更广泛，中熵材料兼具高熵合金的部分性能优势，同时更易适应多样化需求，例如船舶建造、通讯器件和生物医疗等领域；

5、4、成分调控与稳定性更优，中熵材料因元素种类较少，化学短程有序(csro)和晶格畸变相对可控，避免了高熵材料中因强晶格无序本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体，其特征在于，该晶体的化学式为Ho,Pr:CaSrBaF6或Ho,Pr:MeCaSrBaF9，其中钬的掺杂浓度为0.5～1.5at.％，镨的掺杂浓度为0.05～0.15at.％，Me选自镧、钇、钆、钪、镥、铝、镓中的一种。

2.一种如权利要求1所述的钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体的制备方法，其特征在于，步骤S1中晶体的钬原料采用氟化钬，镨原料采用氟化镨，锶原料采用氟化锶，钙原料采用氟化钙，钡原料采用氟...

【技术特征摘要】

1.一种钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体，其特征在于，该晶体的化学式为ho,pr:casrbaf6或ho,pr:mecasrbaf9，其中钬的掺杂浓度为0.5～1.5at.％，镨的掺杂浓度为0.05～0.15at.％，me选自镧、钇、钆、钪、镥、铝、镓中的一种。

2.一种如权利要求1所述的钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体的制备方法，其特征在于，步骤s1中晶体的钬原料采用氟化钬，镨原料采用氟化镨，锶原料采用氟化锶，钙原料采用氟化钙，钡原料采用氟化钡，me原料采用me的氟盐。

4.根据权利要求2所述的一种钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体的制备方法，其特征在于，步骤s1中研磨前加入水氧去除剂。

5.根据权利要求4所述的一种钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体的制备方法，其特征在于，步骤s1中水氧去除剂采用氟化铅，水氧去除剂相对晶体的各金属原料总质量的质量分数为0.5～1.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱新宇，徐军，王庆国，王无敌，周游晨晨，张晨波，宋青松，李东振，唐慧丽，吴锋，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：