量子点、光学构件、电子设备和制造量子点的方法技术

实施例提供了量子点、光学构件、电子设备和制造量子点的方法。所述量子点包括：包含铜(Cu)、III族元素和VI族元素的核；以及覆盖所述核的第一壳。所述核的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)等于或小于大约55nm。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及量子点、包括量子点的光学构件、包括量子点的电子设备和制造量子点的方法。

技术介绍

1、量子点可以用作在光学构件和各种电子设备中执行各种光学功能(例如，光转换功能和光发射功能等)的材料。作为具有量子限制效应的半导体纳米晶体的量子点可以通过控制纳米晶体的尺寸和组成具有不同的能带隙，并且因此可以发射各种发射波长的光。

2、包括量子点的光学构件可以具有薄膜(诸如针对每个子像素被图案化的薄膜)的形式。这种光学构件可以用作包括各种光源的装置的颜色转换构件。

3、量子点可以在各种电子设备中用于各种目的。例如，量子点可以用作发射体。例如，量子点可以包括在发光装置(包括一对电极和发射层)的发射层中，并且可以用作发射体。

4、为了实现高质量的光学构件和电子设备，开发目前朝向具有优异的量子产率(qy)并且不包括作为有毒元素的镉的量子点。

5、应当理解的是，本
技术介绍
部分旨在部分地提供用于理解本技术的有用背景。然而，本
技术介绍
部分还可以包括在本文中公开的主题的相应有效提交日期之前不是相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种量子点，其中，所述量子点包括：

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述核的所述发射波长光谱的尾部值等于或小于15nm。

3.根据权利要求1所述的量子点，其中，基于总计100重量份的所述核，所述核包括在4重量份至10重量份的范围内的量的Cu。

4.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述III族元素是铝、镓、铟、铊、或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述VI族元素是氧、硫、硒、碲或它们的组合。

6.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述核包括铜、铟、镓和硫。

7.根据权利要求6所述的量子点...

【技术特征摘要】

1.一种量子点，其中，所述量子点包括：

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述核的所述发射波长光谱的尾部值等于或小于15nm。

3.根据权利要求1所述的量子点，其中，基于总计100重量份的所述核，所述核包括在4重量份至10重量份的范围内的量的cu。

4.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述iii族元素是铝、镓、铟、铊、或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述vi族元素是氧、硫、硒、碲或它们的组合。

6.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述核包括铜、铟、镓和硫。

7.根据权利要求6所述的量子点，其中，基于总计100重量份的所述核，所述核包括：

8.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一壳包括ii-vi族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物或它们的组合。

9.根据权利要求8所述的量子点，其中，所述ii-vi族半导体化合物是cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste或它们的组合。

10.根据权利要求8所述的量子点，其中，所述iii-vi族半导体化合物是gas、ga...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑浚赫，金成在，金泳植，金弘來，尹彼娜，李栋熙，李宅焌，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：