【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及mosfet功率器件状态评估,具体涉及一种mosfet功率器件电热机联合仿真模型的构建方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展,半导体器件在新能源发电、交通牵引、航空航天、工业自动化、交通运输等领域得到了广泛运用。其中,mosfet功率器件是电力电子系统中应用最广泛的全控型半导体器件。根据制造商的问卷调查,半导体器件被认为是工业电力电子系统中最关键和最脆弱的部件,mosfet功率器件的工作特性决定了其工作时内部同时拥有电场、温度场和机械应力场,并且三者之间存在着强耦合关系。现有研究表明,大多数mosfet功率器件的封装失效是多物理场耦合相互作用的结果,从单一物理场的角度很难有效地预测mosfet功率器件的行为和解释其失效机理。因此,建立准确高效的多物理场耦合模型,对于mosfet功率器件的优化设计、特性分析以及特定条件下的失效预测等应用具有重要意义。
2、现有技术中,mosfet功率器件的多场耦合建模已经做了大量的研究,但不同的建模方法最终要在特定的仿真平台上实现。近年来,电路仿真平台(saber、pspic
...【技术保护点】
1.一种MOSFET功率器件电热机联合仿真模型的构建方法,其特征在于:
2.根据权利要求1所述一种MOSFET功率器件电热机联合仿真模型的构建方法,其特征在于:所述传热仿真与力学仿真,共用MOSFET功率器件热机耦合模型进行计算;在MOSFET功率器件功率损耗P注入热机耦合模型后,功率损耗P作为传热仿真输入量,传热仿真根据功率损耗P计算出MOSFET功率器件结温Tj,力学仿真接收结温Tj计算出MOSFET功率器件各部分应力大小与形变量。
3.根据权利要求1所述一种MOSFET功率器件电热机联合仿真模型的构建方法,其特征在于:所述MOSFET功率
...【技术特征摘要】
1.一种mosfet功率器件电热机联合仿真模型的构建方法,其特征在于:
2.根据权利要求1所述一种mosfet功率器件电热机联合仿真模型的构建方法,其特征在于:所述传热仿真与力学仿真,共用mosfet功率器件热机耦合模型进行计算;在mosfet功率器件功率损耗p注入热机耦合模型后,功率损耗p作为传热仿真输入量,传热仿真根据功率损耗p计算出mosfet功率器件结温tj,力学仿真接收结温tj计算出mosfet功率器件各部分应力大小与形变量。
3.根据权利要求1所述一种mosfet功率器件电热机联合仿真模型的构建方法,其特征在于:所述mosfet功率器件电学模型,以spice一级公式为基础,用于mosfet功率器件电学特性仿真;
4.根据权利要求1所述一种mosfet功率器件电热机联合仿真模型的构建方法,其特征在于:所述mosfet功率器件电学模型包括导通电阻模块与核心模块;
5.根据权利要求4所述一种mosfet功率器件电热机联合仿真模型的构建方法,其特征在于:...
【专利技术属性】
技术研发人员:王凯宏,宣跃腾,汪文涛,李永鹏,王保宇,
申请(专利权)人:三峡大学,
类型:发明
国别省市:
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