【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电力电子器件，特别涉及一种功率器件模组及其制备工艺。
技术介绍
1、随着以碳化硅(sic)、氮化镓(gan)等宽禁带半导体材料为基础的第三代宽禁带半导体技术的成熟，半导体功率器件的应用场景也日趋丰富。现有的半导体功率器件的应用封装工艺大多是先通过绑定线、铜夹铜clip焊接等构成芯片电流回路，然后对电路连接后的功率器件模块进行注塑或灌封胶。现有的功率器件模块具有杂散电感大的缺点，比如在汽车、电源等应用场景中，现有的功率器件模块的电感量在5～15nh之间。
2、另外，目前行业内也提出了嵌入式功率器件的方案，即将功率芯片与pcb电路板层叠设置，通过pcb电路实现电路连接，取消绑定线的使用。
3、目前已知的嵌入式功率器件工艺是在生产过程中，将芯片所在核心层直接作为pcb电路板的一层，通过pcb压合工艺嵌入在pcb电路板中。由于芯片的脆弱性，对于面积较大的功率芯片，容易发生断裂的质量问题。为避免在压合过程中对芯片产生伤害，一种解决方案是采用德国英飞凌公司的s-cell的形式(芯片焊接在铜质地载板上)，但是这种...
【技术保护点】
1.一种功率器件模组的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：
2.根据权利要求1所述的一种功率器件模组的制备工艺，其特征在于，所述载体为覆铜绝缘基板，包括依次层叠设置的上金属层、绝缘层和下金属层；
3.根据权利要求1所述的一种功率器件模组的制备工艺，其特征在于，将所述芯片与载体焊接包括：
4.根据权利要求2所述的一种功率器件模组的制备工艺，其特征在于，在所述上金属层远离绝缘层一侧板面上挖设一个与芯片厚度尺寸相匹配的安装槽；将所述芯片的一侧板面焊接在安装槽的底面，且芯片该侧板面上的信号端子与安装槽底面电性连接；
5.根据...
【技术特征摘要】
1.一种功率器件模组的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：
2.根据权利要求1所述的一种功率器件模组的制备工艺，其特征在于，所述载体为覆铜绝缘基板，包括依次层叠设置的上金属层、绝缘层和下金属层；
3.根据权利要求1所述的一种功率器件模组的制备工艺，其特征在于，将所述芯片与载体焊接包括：
4.根据权利要求2所述的一种功率器件模组的制备工艺，其特征在于，在所述上金属层远离绝缘层一侧板面上挖设一个与芯片厚度尺寸相匹配的安装槽；将所述芯片的一侧板面焊接在安装槽的底面，且芯片该侧板面上的信号端子与安装槽底面电性连接；
5.根据权利要求1所述的一种功率器件模组的制备工艺，其特征在于，所述塑封成型工艺处理包括：在所述芯片模组外周灌注塑封材料，在芯片模组外部塑封形成第一塑封体，对内部芯片模组进行绝缘封装。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：孙纯哲，
申请(专利权)人：上海诚帜电力电子技术发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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