陶瓷环及石墨舟制造技术

技术编号:46483309 阅读:4 留言:0更新日期:2025-09-26 19:05
本技术提供了一种陶瓷环及石墨舟,属于太阳能电池制作技术领域,包括陶瓷环本体,陶瓷环本体的外表面上设置有环形窄缝,环形窄缝倾斜延伸至所述陶瓷环本体内,以使环形窄缝的内壁构成圆台侧面。本技术提供的陶瓷环及石墨舟,在陶瓷环本体外表面设置的环形窄缝,倾斜深入陶瓷环本体内构成圆台侧面,形成狭小的倾斜缝隙,使得反应气体难以进入,能够降低非晶硅在环形窄缝内部沉积的概率,减少沉积在陶瓷环凹槽内表面的非晶硅量,并将陶瓷环本体表面沉积的非晶硅层隔断,从而避免陶瓷环本体周向表面沉积成沿其轴向连续的非晶硅导电层,进而降低相邻两片石墨舟页导通、短路的概率,降低石墨舟页损坏的风险,提高硅片的良率与产能。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于太阳能电池制作,具体涉及一种陶瓷环及设置有该种陶瓷环的石墨舟。


技术介绍

1、topcon电池是一种基于选择性载流子原理的太阳能电池,目前,topcon电池中的隧穿氧化层的制备主要有lpcvd、pvd、pecvd和peald四种工艺,其中pecvd和peald两种原位掺杂的工艺均需要用到石墨舟。

2、石墨舟作为对太阳能硅片进行pecvd镀膜时的载体,在进行镀膜时,将插有待镀膜硅片的石墨舟装入pecvd真空镀膜设备中对硅片进行磷掺杂非晶硅镀膜。石墨舟包括绝缘陶瓷环以及可放置太阳能硅片的石墨舟页,绝缘陶瓷环抵接于两个石墨舟页之间,以保证两个石墨舟页之间的间距满足要求,同时还能够将两个与不同电极连接的石墨舟页绝缘隔离,使两片石墨舟页之间形成电场,进而在硅片上沉积非晶硅层。

3、当使用pecvd镀掺杂非晶硅等良导体薄膜时,陶瓷环上会沉积导电薄膜,并随着陶瓷环使用次数以及使用时间的增长而累积,陶瓷环的绝缘性能会逐渐降低,最终会导致陶瓷环变为导体,使石墨舟正负极板间导通,引发工艺不稳定问题,造成产品质量下降、良率下降及返工率提升。...

【技术保护点】

1.一种陶瓷环,其特征在于,包括:陶瓷环本体(1),所述陶瓷环本体(1)的外表面上设置有环形窄缝(3),所述环形窄缝(3)倾斜延伸至所述陶瓷环本体(1)内,以使所述环形窄缝(3)的内壁构成圆台侧面。

2.如权利要求1所述的陶瓷环,其特征在于,所述环形窄缝(3)的开口距离所述陶瓷环本体(1)轴端的最短距离L1为1-2mm。

3.如权利要求1所述的陶瓷环,其特征在于,所述环形窄缝(3)的槽底距离所述陶瓷环本体(1)轴端的最短距离L2为1-1.5mm。

4.如权利要求1所述的陶瓷环,其特征在于,所述环形窄缝(3)的槽底距离所述陶瓷环本体(1)内壁的最短距离L...

【技术特征摘要】

1.一种陶瓷环,其特征在于,包括:陶瓷环本体(1),所述陶瓷环本体(1)的外表面上设置有环形窄缝(3),所述环形窄缝(3)倾斜延伸至所述陶瓷环本体(1)内,以使所述环形窄缝(3)的内壁构成圆台侧面。

2.如权利要求1所述的陶瓷环,其特征在于,所述环形窄缝(3)的开口距离所述陶瓷环本体(1)轴端的最短距离l1为1-2mm。

3.如权利要求1所述的陶瓷环,其特征在于,所述环形窄缝(3)的槽底距离所述陶瓷环本体(1)轴端的最短距离l2为1-1.5mm。

4.如权利要求1所述的陶瓷环,其特征在于,所述环形窄缝(3)的槽底距离所述陶瓷环本体(1)内壁的最短距...

【专利技术属性】
技术研发人员:张煌军杨川祁兆溪赵鹏韩永清张志强丁雅红冉祖辉何广川张树骞
申请(专利权)人:英利能源发展保定有限公司
类型:新型
国别省市:

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