一种低温一锅法绿色合成CdSe量子点的方法技术

本发明专利技术提供了一种低温一锅法绿色合成CdSe量子点的方法，涉及纳米半导体材料技术领域，该方法在空气氛围下将氧化镉、硒粉和长链脂肪酸混合，加入沸点≥250℃的非配位溶剂，于160–250℃搅拌反应5–180分钟，冷却后纯化获得CdSe量子点。本发明专利技术合成的量子点半峰宽窄（24 nm）、可控范围大（485‑650 nm），性能优异，为胶体硒化镉量子点在光电器件、生物成像和显示技术等领域的广泛应用提供了有力支持；并且该方法易于放大生产，可满足工业化大规模制备需求，具有良好的经济和社会效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米半导体材料，具体而言，涉及一种低温一锅法绿色合成cdse量子点的方法。

技术介绍

1、胶体硒化镉（cdse）量子点因其独特的光电性质，在光电器件、生物成像和显示技术等领域展现出巨大的应用潜力。目前，制备高质量cdse量子点的主流方法是热注射法。该方法通过将活性前驱体（通常是硒前驱体）快速注射到高温（通常在300-320℃）的镉前驱体溶液中，利用瞬间产生的过饱和状态诱导均匀成核，从而获得粒径均一、发光效率高的量子点。

2、尽管热注射法在控制量子点质量和产率方面表现相对良好，但其在实际应用，尤其是面向规模化生产时，存在明显的局限性。首先，该过程需要在极高的温度下进行，这不仅导致显著的能源消耗，也对反应设备的耐热性能提出了苛刻要求。高温环境还容易引发温度波动，影响量子点成核的精确控制，可能导致最终产品粒径分布变宽，影响均一性。

3、其次，热注射法的操作本身具有相当的精密性要求。关键的前驱体注射步骤通常需要手动快速完成，这一过程极易引入人为误差，导致实验重复性不佳。如果注射速度不够快，无法在瞬间形成所需的过饱和状态，量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低温一锅法绿色合成CdSe量子点的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述长链脂肪酸包括十八烷酸、二十烷酸、二十二烷酸或二十六烷酸。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述长链脂肪酸为二十二烷酸。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非配位溶剂选自1-十八烯、十六烷或液体石蜡。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非配位溶剂为1-十八烯。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化镉、硒粉和长链脂肪酸的摩尔比为1:1:1。p>

7.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种低温一锅法绿色合成cdse量子点的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述长链脂肪酸包括十八烷酸、二十烷酸、二十二烷酸或二十六烷酸。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述长链脂肪酸为二十二烷酸。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非配位溶剂选自1-十八烯、十六烷或液体石蜡。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非配位溶剂为1-十八烯。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化镉、硒粉和长链脂肪...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓鹏，贺兰棋，安欣，
申请(专利权)人：北京师范大学珠海校区，
类型：发明
国别省市：