一种基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器及其制备方法与应用技术

技术编号:46472912 阅读:3 留言:0更新日期:2025-09-23 22:32
本发明专利技术属于半导体技术领域,公开了一种基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器及其制备方法与应用。所述探测器包括:导电衬底、空穴传输层I、钙钛矿光活性层、有机聚合物光活性层、空穴传输层II和电极;器件结构按上述顺序由导电衬底从下到上依次向电极方向排列。本发明专利技术采用旋涂法制备了基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器光电探测器,该探测器具有快速响应,光致电荷存储等特点,并可通过深度学习模型实现三维坐标下仿生人眼实时探测,有助于提高该探测器在环境光检测,计算机视觉等领域的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,具体涉及一种基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器及其制备方法与应用


技术介绍

1、光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的器件,目前广泛应用于通信、成像、传感和测量等领域。传统的光电探测器主要基于硅、砷化镓、铟镓砷、等iii-v族或iv族半导体材料制备,这些材料具有较为成熟的制备工艺、稳定的物理特性以及较高的探测性能,使其在光电领域占据了重要地位。然而,随着科技的发展,人们对实时监测响应的光电探测器的性能需求不断提高,这些传统的应用在实时监测响应的光电探测器的逐渐无法满足人们的需求,迫使研究者们寻找新的解决方案,以突破这些限制。根据实时监测响应光电探测器在实际中的应用方式可通常将其分为两种类型,一种为能够直接接收光信号将其转换为电信号;我们将其称之为主动型光电探测器,其因能够实现快速的光响应而广泛应用于例如:环境光检测、光电开关等场景(如wang,y.tang,j.zhang,s.xu,h.andding,t.nanoscale,2019,11,18496-18500、alaie z,mohammad nejad s,yous本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器,其特征在于,包括:导电衬底、空穴传输层I、钙钛矿光活性层、有机聚合物光活性层、空穴传输层II和电极;器件结构按上述顺序由导电衬底从下到上依次向电极方向排列。

2.根据权利要求1所述的基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器,其特征在于,所述空穴传输层I的材料为氧化镍、聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]中的至少一种,厚度为5~15nm;

3.根据权利要求1所述的基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器,其特征在于,所述钙钛矿光活性层的材料为CsPbIBr2,厚度为...

【技术特征摘要】

1.一种基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器,其特征在于,包括:导电衬底、空穴传输层i、钙钛矿光活性层、有机聚合物光活性层、空穴传输层ii和电极;器件结构按上述顺序由导电衬底从下到上依次向电极方向排列。

2.根据权利要求1所述的基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器,其特征在于,所述空穴传输层i的材料为氧化镍、聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]中的至少一种,厚度为5~15nm;

3.根据权利要求1所述的基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器,其特征在于,所述钙钛矿光活性层的材料为cspbibr2,厚度为300~400nm;

4.根据权利要求1所述的基于光致电荷存储的有机无机杂化光电探测器,其特征在于,所述导电衬底为ito;

5.权利要求1~4任一项所述的基于光致电荷存储的有机无机杂化光...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘琳琳孙帝刘惠君彭畅
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:发明
国别省市:

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