半导体激光器及其制备方法、激光投影设备技术

本申请实施例提供了一种半导体激光器及其制备方法、激光投影设备，包括：衬底；位于衬底的第一表面的半导体结构层，包括：层叠设置的缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层以及第一稳定层，层叠设置于第一稳定层的非电流注入区域的刻蚀阻挡层和阻挡层，覆盖于阻挡层上的第二稳定层，欧姆接触层覆盖于第二稳定层上；第一、第二稳定层由P型掺杂材料形成，且迁移率大于第二波导层和第二限制层的迁移率，刻蚀阻挡层和阻挡层由N型掺杂材料形成；位于半导体结构层上的第一电极层；位于衬底的第二表面的第二电极层。本申请实施例用于提升宽条形大功率半导体激光器输出光束的质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及激光投影。更具体地讲，涉及一种半导体激光器及其制备方法、激光投影设备。

技术介绍

1、由于输出波段覆盖面积广、输出功率高、体积小、寿命长等优势，宽条形大功率半导体激光器(broad area high-power laser diode，ba-hpld)被广泛应用于军事、民用等领域。

2、随着应用范围的持续扩大，宽条形大功率半导体激光器的输出功率和光束质量面临着更高的标准。然而，当向宽条形大功率半导体激光器注入大电流以实现高功率输出时，其内部产生的热量会使材料温度上升，进而导致折射率发生变化，产生热透镜效应，从而改变谐振腔内的光路。这会改变原本不利于高阶模式传播的腔内条件，激发高阶模式的产生。此外，宽条形大功率半导体激光器条形边缘密集的载流子为高阶模的产生提供了模式增益，进一步促进了高阶模式的产生。随着注入电流的增大，这两个因素都会促使远场慢轴发散角迅速增大，降低了宽条形大功率半导体激光器输出光束的质量。

技术实现思路

1、本申请示例性的实施方式提供一种半导体激光器及其制备方法、激本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一稳定层的厚度小于或等于所述第二稳定层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述有源层包括：设置于所述有源层靠近所述衬底一侧的第一势垒层以及设置于所述有源层远离所述衬底一侧的第二势垒层；

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度与所述阻挡层的厚度的比值为1：2。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述阻挡层的厚度大于或等于30纳米且小于或等于50纳米。>

6.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一稳定层的厚度小于或等于所述第二稳定层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述有源层包括：设置于所述有源层靠近所述衬底一侧的第一势垒层以及设置于所述有源层远离所述衬底一侧的第二势垒层；

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度与所述阻挡层的厚度的比值为1：2。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述阻挡层的厚度大于或等于30纳米且小于或等于50纳米。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王芝浩，
申请(专利权)人：青岛海信激光显示股份有限公司，
类型：发明
国别省市：