【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求1所述的用于确定用于固定半导体组件中的半导体元件的接触层的老化状态的以及半导体组件中的键合线连接的老化状态的方法，以及一种根据权利要求12所述的半导体组件。
技术介绍
1、在尤其是用于功率电子器件的半导体组件中，不同的半导体元件、例如igbt、mosfet或二极管安装在基板或电路板上。在此，为了接触这些半导体元件，通常设有接触层，钎焊层例如也属于接触层。然而功率电子元件在运行中尤其会受到非常高的热机械载荷。因此，功率电子元件因老化条件而随机失效的风险更高，因此始终需要估计相应的组件的老化状态。根据现有技术，为此例如测量电气参量，如栅极-发射极电压或导通电流。通过接触层中可能的脱层或裂纹引起的热阻变化，在此可以推断出特定的老化行为。然而，这些测量通常非常复杂，因为它们需要高测量精度和高时间分辨率。这些测量通常无法在半导体元件运行时进行，而是为此需要实验室条件，以实现所提到的复杂并且精确的测量。此外，在功率电子元件运行期间，例如在电动汽车的运行中，在实际条件下也无法拆卸元件或组件以在微观上检查相应的焊点或接触层...
【技术保护点】
1.一种用于确定用于固定半导体组件(4)中的半导体元件(2)的接触层的老化状态的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在数据库(24)中存储有针对表面特性特征值(28)的容差范围(26)，如果所测量的表面特性特征值(28)处于所述容差范围(26)之外，则通过分析电子器件(18)发出信息(34)。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在数据库(24)中存储有第二接触层(12)的表面特性特征值(28)与第一接触层(6)的老化特征值(36)之间的相关性函数(30)。
4.根据权利要求3所述的方法，其...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于确定用于固定半导体组件(4)中的半导体元件(2)的接触层的老化状态的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在数据库(24)中存储有针对表面特性特征值(28)的容差范围(26)，如果所测量的表面特性特征值(28)处于所述容差范围(26)之外，则通过分析电子器件(18)发出信息(34)。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在数据库(24)中存储有第二接触层(12)的表面特性特征值(28)与第一接触层(6)的老化特征值(36)之间的相关性函数(30)。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在通过相关性函数(30)确定的老化特征值(36)处于容差范围(26)之外时发出所述信息(34)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，传感器(16)安装在第二接触层(12)表面(13)上或安装在所述第二接触层的表面处。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，借助传感器(16)记录受第二接触层(12)的表面(13)影响的电磁波或机械波。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，用于产生电磁波的发射器(14)指向所述表面(13)，并且传感器(16)检测由所述表面(13)反射的波并将其作为传感器数据传输至分析电子器件(18)。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，用于产生机械波的发射器(14)指向表面(13)，并且传感器检测由所述表面(13)反射的波并将其...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·D·P·比克尔，K·克里格尔，G·米蒂奇，S·斯特格梅尔，
申请(专利权)人：西门子股份公司，
类型：发明
国别省市：
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