掩膜板及显示面板制造技术

技术编号:46460737 阅读:10 留言:0更新日期:2025-09-23 22:25
一种掩膜板及显示面板。掩膜板包括掩膜条。掩膜条沿第一方向延伸,且包括至少两个掩膜图案结构,至少两个掩膜图案结构沿第一方向排列;其中,掩膜条包括在厚度方向上相对设置的第一表面和第二表面,厚度方向与第一方向相交;掩膜条还包括凸起结构,凸起结构的至少部分位于相邻两个掩膜图案结构之间;第二表面包括掩膜图案结构的掩膜表面和凸起结构的凸起表面,凸起表面比掩膜表面更远离第一表面,且在厚度方向上,凸起结构的尺寸大于掩膜图案结构的尺寸。通过设置凸起结构实现掩膜条的局部加厚,可以提高掩膜条的强度,使得掩膜条的稳定性更佳,降低掩膜图案结构受到其他结构的吸附影响,提高蒸镀质量,改善显示面板的蒸镀阴影不良的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本技术至少一个实施例涉及一种掩膜板及显示面板


技术介绍

1、在有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)显示器件的生产制备过程中,可以采用精细金属掩膜板(fine metal mask,fmm)实现有机材料的蒸镀。因此,fmm的质量决定了有机材料的蒸镀质量,进而对显示器件的显示效果产生影响。


技术实现思路

1、本技术至少一个实施例提供一种掩膜板及显示面板。

2、本技术至少一个实施例提供一种掩膜板,所述掩膜板包括:掩膜条;所述掩膜条沿第一方向延伸,且包括至少两个掩膜图案结构,所述至少两个掩膜图案结构沿所述第一方向排列;其中,所述掩膜条包括在厚度方向上相对设置的第一表面和第二表面,所述厚度方向与所述第一方向相交;所述掩膜条还包括凸起结构,所述凸起结构的至少部分位于相邻两个所述掩膜图案结构之间;所述第二表面包括所述掩膜图案结构的掩膜表面和所述凸起结构的凸起表面,所述凸起表面比所述掩膜表面更远离所述第一表面,且在所述厚度方向上,所述凸起结构的尺寸大于所述掩膜图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种掩膜板,其特征在于,包括:掩膜条;

2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜条还包括安装结构,所述安装结构位于所述至少两个掩膜图案结构在所述第一方向上的至少一侧;

3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜条还包括连接结构,所述第二表面还包括所述连接结构的第一连接面,所述第一连接面连接于所述掩膜表面和所述安装表面之间;

4.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述第一表面位于平面,在所述厚度方向上,所述安装结构的尺寸为10微米-30微米。

5.根据权利要求1-4任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述第二表面还...

【技术特征摘要】

1.一种掩膜板,其特征在于,包括:掩膜条;

2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜条还包括安装结构,所述安装结构位于所述至少两个掩膜图案结构在所述第一方向上的至少一侧;

3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜条还包括连接结构,所述第二表面还包括所述连接结构的第一连接面,所述第一连接面连接于所述掩膜表面和所述安装表面之间;

4.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述第一表面位于平面,在所述厚度方向上,所述安装结构的尺寸为10微米-30微米。

5.根据权利要求1-4任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述第二表面还包括所述凸起结构的第二连接面,所述第二连接面连接于所述掩膜表面和所述凸起表面之间;

6.根据权利要求1-3任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述第一表面位于平面,在所述厚度方向上,所述凸起结构的尺寸为3微米-30微米,所述掩膜图案结构的尺寸为1微米-15微米。

7.根据权利要求1-4任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜图案结构在所述第一方向上的尺寸大于所述凸起表面的位于所述相邻两个掩膜图案结构之间的部分在所述第一方向上的尺寸。

8.根据权利要求1-4任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述凸起结构围绕所述掩膜图案结构的至少部分。

9.根据权利要求1-4任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述凸起表面位于相邻两个所述掩膜图案结构之间的部分沿第二方向延伸,所述第二方向分别与所述第一方向和所述厚度方向相交。

10.根据权利要求1-4任一项所述的掩膜板,其特征在于,还包括辅助掩膜层;

11.根据权利要求10所述的掩膜板,其特征在于,至少一个掩膜通孔包括在所述厚度方向上相对设置的第一掩膜开口和第二掩膜开口,且所述第一掩膜开口与所述支撑表面位于同一平面内;

12.根据权利要求11所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜通孔包括在所述厚度方向上彼此连通的第一子掩膜孔和第二子掩膜孔,所述第一子掩膜孔包括所述第一掩膜开口,所述第二子掩膜孔包括所述第二掩膜开口,所述第二掩膜开口位于所述第二子掩膜孔远离所述第一子掩膜孔的一侧;

【专利技术属性】
技术研发人员:白珊珊李娜毕娜关新兴
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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