【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功能材料,具体涉及一种稀土金属靶材及其制备方法。
技术介绍
1、稀土金属靶材是磁控溅射技术制备薄膜的关键原材料。这类靶材主要用于沉积具有特殊磁学、光学或电学性能的稀土金属或合金薄膜,在磁光存储介质、磁致伸缩器件、磁传感器、固态制冷材料和某些催化涂层中有着重要的应用。以铽、铁、钴(tb、fe、co)为代表的稀土过渡金属合金薄膜,因其优异的垂直磁各向异性,曾是高密度磁光存储的核心材料。虽然主流存储技术变迁,但在需要极端磁光性能、高矫顽力或大磁致伸缩系数的前沿领域,如精密磁控器件、特种传感器、新颖固态制冷结构等,高纯度、高性能的稀土金属靶材及其镀膜依然不可或缺。
2、然而,稀土金属靶材在实际制造与应用中面临几个突出的技术难题:第一是氧含量控制困难。稀土元素活性极高,极易与氧结合形成稳定的氧化物夹杂,这些氧化物存在于靶材内部,在溅射过程中可能造成异常放电(“打火”现象),并污染沉积薄膜,显著降低薄膜的磁性能和电性能一致性,例如导致矫顽力离散、磁光克尔角波动。第二是微观组织结构不佳。稀土金属通常硬度较高而延展性相对较差,
...【技术保护点】
1.一种稀土金属靶材,其特征在于,以质量百分比计,该靶材包含以下元素:稀土金属70-90%,过渡金属5-15%,分散剂3-10%;其余为不可避免的杂质,杂质中氧含量小于300ppm,铁含量小于100ppm。
2.根据权利要求1所述的一种稀土金属靶材,其特征在于:所述稀土金属为Nd、Pr、Dy,其中Nd与Pr的质量比为3-5:1,Dy的添加量为靶材总质量的1-5%。
3.根据权利要求1所述的一种稀土金属靶材,其特征在于:所述过渡金属选自Ti、Zr、Mo中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种稀土金属靶材,其特征在于:所述分散剂包括粒径
...【技术特征摘要】
1.一种稀土金属靶材,其特征在于,以质量百分比计,该靶材包含以下元素:稀土金属70-90%,过渡金属5-15%,分散剂3-10%;其余为不可避免的杂质,杂质中氧含量小于300ppm,铁含量小于100ppm。
2.根据权利要求1所述的一种稀土金属靶材,其特征在于:所述稀土金属为nd、pr、dy,其中nd与pr的质量比为3-5:1,dy的添加量为靶材总质量的1-5%。
3.根据权利要求1所述的一种稀土金属靶材,其特征在于:所述过渡金属选自ti、zr、mo中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种稀土金属靶材,其特征在于:所述分散剂包括粒径50-200nm的氮化硼,其表面包覆有厚度1-3nm的二氧化硅层。
5.一种如权利要求1-4中任一项所述稀土金属靶材的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
6.根据权利要求5所述的一种稀土金属靶材的制备方法,其特征在于:在步骤(a)...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨培生,杨树峰,郭树一,窦金健,
申请(专利权)人:天津市德立电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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