一种钨酸铋纳米片复合材料的制备方法及其应用技术

技术编号:46451716 阅读:7 留言:0更新日期:2025-09-23 22:19
本发明专利技术公开一种钨酸铋纳米片复合材料的制备方法及其应用,制备方法包括,通过预先制备钨酸铋纳米片粉末以及溴氧铋纳米花粉末,再将二者混合搅拌混匀,离心干燥后制得BδB成品;钨酸铋纳米片复合材料根据所述的钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,钨酸铋纳米片复合材料富含铋空位;钨酸铋纳米片复合材料在光催化降解抗生素污染物中的应用。其中通过钨酸铋纳米片粉末以及溴氧铋纳米花粉末,来制备富含铋空位的钨酸铋纳米片负载溴氧铋纳米花复合材料,相比于单体,优化了光吸收和氧化还原能力,可有效分离光生电子‑空穴对,有效地降低了Bi2WO6和BiOBr光生载流子的复合率,制备过程较为简单,规模化量产,展现出巨大的应用可能性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光催化剂,具体是一种钨酸铋纳米片复合材料的制备方法及其应用


技术介绍

1、在水体污染威胁生命体健康与生态环境的问题中,光催化技术通过利用太阳能可以将污染物大分子彻底分解为绿色的小分子物质,有效地解决水体污染问题和提高能源利用率。

2、近年来,科学研究者们开发出各种半导体光催化剂并在环境修复和清洁能源转换中得到了广泛的应用。研究最多的是金属氧化物半导体,如tio2、zno、wo3等,在治理污染问题的研究取得了一定的成功。目前,新型的铋基光催化半导体如bi2wo6、biobr、bivo4等,具有化学稳定性好、合适的能带位置、出色的光催化活性而被用于解决环境问题。

3、其中,bi2wo6和biobr拥有独特的稳定层状结构、合适的带隙宽度、环境友好、经济实惠的优点,使其拥有优异的光催化稳定性,克服了传统光催化剂稳定性低的缺点。

4、但是,单一的半导体材料仍存在诸多局限,比如光响应范围较小、光生载流子复合速率较快、载流子迁移率低、氧化还原能力较差等不足,极大限制了半导体光催化剂的催化活性与应用,因此需要设计一种钨酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,制备方法包括,

2.根据权利要求1所述的钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

3.根据权利要求2所述的钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,S1包括在水热反应釜中加热至160℃的温度下保温3h。

4.根据权利要求2所述的钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,S2包括在水热反应釜中加热至140℃温度下保温3h。

5.根据权利要求2所述的钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,S3包括在水热反应釜中加热至160℃温度下保温12h。</p>

6.根据...

【技术特征摘要】

1.一种钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,制备方法包括,

2.根据权利要求1所述的钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

3.根据权利要求2所述的钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,s1包括在水热反应釜中加热至160℃的温度下保温3h。

4.根据权利要求2所述的钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,s2包括在水热反应釜中加热至140℃温度下保温3h。

5.根据权利要求2所述的钨酸铋纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,s3包括在水热反应釜中加...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢瑞士刘思丽李园利
申请(专利权)人:西南科技大学
类型:发明
国别省市:

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