【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，尤其涉及一种级联耦合超对称半导体激光器。
技术介绍
1、半导体激光器的电光转换效率高、相干性好、体积小，所以半导体激光器常用于固体激光器和光纤激光器的泵浦、光纤耦合和材料加工等方面。单横模半导体激光器的光斑特性更有利于后续光学泵浦或者光学耦合，所以提升半导体激光器的大横模特性有着重要的实用意义。
2、目前，半导体激光器在侧向主要依赖减小波导的宽度来筛选模式，导致激光器的注入面积减小，最大输出功率受限；在外延方向，主要通过减小波导宽度或者同时增大p侧和n侧波导厚度的方式来筛选模式，导致外延调控自由度受限，无法继续降低p侧波导的厚度和降低激光器的电阻和内损耗。为了提升半导体激光器的模式辨别能力，超对称变换逐渐被引入到半导体激光器中。针对半导体激光器阵列，已经有利用超对称变换来滤除高阶模式的相关工作，但是原始主阵列和超配对阵列之间只有单次耦合，模式筛选效果有限；针对宽面半导体激光器，虽然有研究团队通过参数扫描来构造超配对阵列，但是当宽面波导的尺寸过大、模式数目过大时，单纯依靠参数扫描来匹配超配对阵列是不...
【技术保护点】
1.一种级联耦合超对称半导体激光器，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的一种级联耦合超对称半导体激光器，其特征在于，还包括N型侧电极，形成N侧的电注入通道；
3.根据权利要求1所述的一种级联耦合超对称半导体激光器，其特征在于，所述主波导区包括单个宽面多模波导或多个波导单元耦合所成的波导阵列，所述级联超配对阵列位于主波导区的一侧或者同时位于主波导区的两侧。
4.根据权利要求1所述的一种级联耦合超对称半导体激光器，其特征在于，所述级联超配对阵列组合形成的级联超对称半导体激光器的结构用于半导体激光器的侧向，且通过常见半导体激光器光刻或刻
...【技术特征摘要】
1.一种级联耦合超对称半导体激光器，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的一种级联耦合超对称半导体激光器，其特征在于，还包括n型侧电极，形成n侧的电注入通道；
3.根据权利要求1所述的一种级联耦合超对称半导体激光器，其特征在于，所述主波导区包括单个宽面多模波导或多个波导单元耦合所成的波导阵列，所述级联超配对阵列位于主波导区的一侧或者同时位于主波导区的两侧。
4.根据权利要求1所述的一种级联耦合超对称半导体激光器，其特征在于，所述级联超配对阵列组合形成的级联超对称半导体激光器的结构用于半导体激光器的侧向，且通过常见半导体激光器光刻或刻蚀工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑婉华，傅廷，周航，徐传旺，王亮，齐爱谊，周旭彦，董风鑫，
申请(专利权)人：潍坊先进光电芯片研究院，
类型：发明
国别省市：
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