【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置,特别是用于功率转换器的功率半导体装置,其具有至少一个半导体元件,其中,至少一个半导体元件布置在闭合的壳体中。此外,本专利技术涉及一种具有至少一个这种半导体装置的功率转换器。此外,本专利技术涉及一种用于制造半导体装置的方法、特别是用于功率转换器的功率半导体装置的方法,该半导体装置具有至少一个半导体元件,其中,至少一个半导体元件布置在闭合的壳体中。此外,本专利技术涉及电绝缘的冷却流体、特别是惰性流体的冷却剂流用于冷却闭合的壳体中的半导体元件的用途。此外,本专利技术还涉及一种计算机程序产品,其构成为这种半导体装置的数字孪生。
技术介绍
1、这种半导体装置例如在功率转换器中使用。将功率转换器例如能够理解为整流器、逆变器、转换器或直流电压转换器。这种半导体装置通常包括壳体,在该壳体中布置至少一个半导体元件。这种半导体元件能够包括但不限于是晶体管等。在壳体内通常设有软性灌封料,特别是硅竖直灌封料,以保护至少一个半导体元件。
2、公开文献wo 2022/033745 a1描述一种功率模块,该功率模块具有至少一
...【技术保护点】
1.一种半导体装置(2),所述半导体装置尤其是用于功率转换器(66)的功率半导体装置,所述半导体装置具有至少一个半导体元件(4),其中,至少一个所述半导体元件(4)布置在闭合的壳体(6)中,
2.根据权利要求1所述的半导体装置(2),其中,所述半导体元件(4)借助于第一压接触件(22)与所述载体元件(14)力配合地连接。
3.根据权利要求2所述的半导体装置(2),其中,所述载体元件(14)由金属材料制成,并且其中,所述半导体元件(4)通过介电材料层(16)以电绝缘的方式与所述载体元件(14)连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置(2),所述半导体装置尤其是用于功率转换器(66)的功率半导体装置,所述半导体装置具有至少一个半导体元件(4),其中,至少一个所述半导体元件(4)布置在闭合的壳体(6)中,
2.根据权利要求1所述的半导体装置(2),其中,所述半导体元件(4)借助于第一压接触件(22)与所述载体元件(14)力配合地连接。
3.根据权利要求2所述的半导体装置(2),其中,所述载体元件(14)由金属材料制成,并且其中,所述半导体元件(4)通过介电材料层(16)以电绝缘的方式与所述载体元件(14)连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置(2),其中,至少一个所述通道(46)通入所述闭合的壳体(6)中。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置(2),所述半导体装置包括第二引导机构(48),所述第二引导机构配置用于将流动穿过所述载体元件(14)的至少一个所述通道(46)的所述冷却剂流(42)引导经过所述半导体元件(4)。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置(2),其中,尤其借助于第一压接触件(22),另外的半导体元件(54)在所述载体元件(14)的背向所述半导体元件(4)的一侧上与所述载体元件(14)力配合地连接。
7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(2),其中,电绝缘的所述冷却流体(40)设计为相变冷却剂。
8.根据权利要求7所述的半导体装置(2),其中,在所述闭合的壳体(6)中布置有用于冷凝已蒸发的冷却剂(60)的冷凝机构(58)。
9.一种功率转换器(66),具有至少一个根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(2)。
10.一种用于冷却在半导体装置(2)中的半导体元件(4)的方法,所述半导体装置尤其是用于功率转换器(66)的功率半导体装置,所述半导体装置...
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