一种N型TOPCon电池及其制备方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种N型TOPCon电池及其制备方法，其中，本发明专利技术实施例所提供的N型TOPCon电池的制备方法，省去了对硼掺杂处理后硅片进行激光掺杂处理的步骤，但在电极烧结及光注入之后，对电池片进行激光照射同时施加偏转电，使得激光形成的电流沿着低接触电阻路径传输，引发银硅互扩散，从而显著降低接触电阻，能够在保留原有钝化层的前提下，避免金属‑硅基体直接接触引发的载流子复合。因此，本发明专利技术提供的制备方法可以实现代替SE掺杂的效果，也即避免了现有通过激光SE技术制备N型TOPCon电池中P型发射极工艺要求较高且步骤繁琐的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶硅太阳能电池制造，特别是涉及一种n型topcon电池及其制备方法。

技术介绍

1、当前，晶硅太阳能电池中的topcon电池的由于其衰减小，电池整体效率及发电量优势明显等优点而被广泛应用。

2、现有topcon电池的正面通过叠加激光se在金属栅线(电极)与硅片接触部分及其附近进行高浓度掺杂，从而形成p型发射极，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。上述方式虽然能够降低扩散层复合、提高光线的短波响应、减少正面金属电极与硅的接触电阻，从而改善开路电压、短路电流、填充因子，但对se激光偏移要求较高，且工艺繁琐。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种n型topcon电池及其制备方法，以解决现有通过激光se技术制备n型topcon电池中p型发射极工艺要求较高且步骤繁琐的问题。

2、为了解决上述问题，本专利技术是通过如下技术方案实现的：

3、本专利技术提出了一种n型topcon电池的制备方法，其中，包括：

4、在对n型硅片的正面进行硼扩散处理、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，烧结处理中，烧结温度为500～850℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，光注入处理中，光照强度为10～50suns。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，激光照射及偏转电压处理中，激光功率为5～30W、电压强度为15～50V、施加时间为0.1～3.0s。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，硼扩散处理后硅片正面的硼浓度为1E18～1E19cm-3；和/或

6.根据权利要求1所述的制备方法，...

【技术特征摘要】

1.一种n型topcon电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，烧结处理中，烧结温度为500～850℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，光注入处理中，光照强度为10～50suns。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，激光照射及偏转电压处理中，激光功率为5～30w、电压强度为15～50v、施加时间为0.1～3.0s。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，硼扩散处理后硅片正面的硼浓度为1e18～1e19cm-3；和/或

6.根据权利要求1所述的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨刘，章康平，孙亚楠，石剑，张寻寻，
申请(专利权)人：一道新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：