一种低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法技术

本发明专利技术涉及同轴电缆制造技术领域，尤其涉及一种低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，包括：获取基础PTFE粉末对应的单品粒径分布以及掺碳PTFE混合物对应的混合粒径分布；基于芯线弯曲特征值、单品粒径分布以及混合粒径分布确定绝缘层与半导电层的目标厚度比，并基于目标厚度比确定初始第一厚度以及初始第二厚度；基于初始第一厚度向模具的绝缘填充层填充基础PTFE粉末，以及，基于初始第二厚度向模具的半导电填充层填充掺碳PTFE混合物，获取预压成型料坯；基于设定推挤参数对预压成型料坯以及芯线进行一体化推挤成型，以得到目标包覆体。本发明专利技术能够提升电缆的抗噪声性能，提高成品质量以及稳定性，确保生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及同轴电缆制造，尤其涉及一种低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法。

技术介绍

1、在弯曲、振动、冲击、温度变化等外界因素作用下，电缆本身产生的脉冲信号小于5mv的电缆称为低噪音电缆，可用于传输微弱信号的传感器等器件的连接线，其在工业、医学、国防等微小信号的测量领域有广泛应用。

2、目前低噪音同轴电缆主要通过在ptfe介质表面涂覆或挤出半导电材料来抑制摩擦噪声。现有方法包括：涂覆ptfe悬浊液并烧结以及挤出半导电聚乙烯（pe）层。这些方式存在工艺复杂、结合强度差、长期使用易脱层、噪声抑制效果不稳定等问题。

3、中国专利公开号cn217544190u公开了一种噪音同轴电缆，包括导体和依次由内到外包裹于导体外部的绝缘层、半导电层、屏蔽层和护套，所述屏蔽层由位于内部的第一屏蔽层和位于外部的第二屏蔽层组合而成，所述第一屏蔽层由镀银铜扁带进行螺旋绕包而成，所述第二屏蔽层由镀银圆铜线编织而成，该技术中的低噪音同轴电缆在聚四氟乙烯绝缘层的表面挤上一层石墨烯半导电层，降低了同轴电缆的噪声。

4、现有技术存在以下问题：

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【技术保护点】

1.一种低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，其特征在于，所述弯曲变形测试的过程包括：

3.根据权利要求2所述的低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，其特征在于，确定所述目标厚度比的过程包括：

4.根据权利要求3所述的低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，其特征在于，基于所述目标厚度比确定初始第一厚度以及初始第二厚度的过程包括：

5.根据权利要求4所述的低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，其特征在于，所述设定预压参数基于所述初始第一厚度以及所述初始第二厚度确定。

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【技术特征摘要】

1.一种低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，其特征在于，所述弯曲变形测试的过程包括：

3.根据权利要求2所述的低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，其特征在于，确定所述目标厚度比的过程包括：

4.根据权利要求3所述的低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，其特征在于，基于所述目标厚度比确定初始第一厚度以及初始第二厚度的过程包括：

5.根据权利要求4所述的低噪音同轴电缆一体化推挤成型方法，其特征在于，所述设定预压参数基于所述初始第一厚度以及所述初始第二厚度确定。

【专利技术属性】
技术研发人员：周赤伟，马涛，岳双元，石志宽，丁一，万杰顺，钱光耀，
申请(专利权)人：嘉兴翼波电子有限公司，
类型：发明
国别省市：