一种高负压转换电路制造技术

本发明专利技术涉及一种高负压转换电路，包括PMOS管S1、NMOS管S2、电感L、电阻RDCR、电阻RESR、电阻RL、电阻Rf1、电阻Rf2、电容COUT、具有补偿网络的误差放大器、时钟和斜坡信号产生器OSC、比较器COMP1、逻辑电路与死区模块以及电平转换器Levelshift；所述逻辑电路与死区模块包括驱动PMOS管S1的驱动电路P_DRI和驱动NMOS管S2的驱动电路N_DRI；本发明专利技术的负压拓扑电路能够实现大幅度正压转负压，大大增加了负压芯片的使用场景，提高了负压电源管理芯片的可靠性和安全性。本发明专利技术基于5MHZ频率下，减小了电感的尺寸，采用PWM控制方式控制环路，相较于自适应导控制方式而言，该电路不需要用到高性能的比较器，使用逻辑和计时电路通常比直接采用大功率的模拟电路更节省面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电压转换，具体涉及一种高负压转换电路。

技术介绍

1、负压芯片是一种基于dc-dc转换技术的集成电路，用于将正输入电压转换为负输出电压，广泛应用于需要负电压供电的电子系统中，如模拟电路、传感器、通信设备和工业控制等。其核心技术包括开关电源拓扑(如反激式、cuk和sepic)、高效开关元件(如mosfet)、pwm控制以及高集成度设计，能够实现高效率、宽输入电压范围和紧凑的电路布局，同时集成过压、过流和过热保护功能。设计时需重点考虑元件选型、散热和emi抑制。尽管负压芯片具有高效、稳定和适应性强的优点，但其设计复杂性和成本较高。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种高负压转换电路，以克服上述现有技术中的不足。

2、本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种高负压转换电路，包括pmos管s1、nmos管s2、电感l、电阻rdcr、电阻resr、电阻rl、电阻rf1、电阻rf2、电容cout、具有补偿网络的误差放大器、时钟和斜坡信号产生器osc、比较器comp1、逻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高负压转换电路，其特征在于，包括PMOS管S1、NMOS管S2、电感L、电阻RDCR、电阻RESR、电阻RL、电阻Rf1、电阻Rf2、电容COUT、具有补偿网络的误差放大器、时钟和斜坡信号产生器OSC、比较器COMP1、逻辑电路与死区模块以及电平转换器Levelshift；所述逻辑电路与死区模块包括驱动PMOS管S1的驱动电路P_DRI和驱动NMOS管S2的驱动电路N_DRI；

2.根据权利要求1所述的一种高负压转换电路，其特征在于，还包括带隙基准电路Bandgap，所述基准电压VREF由所述带隙基准电路Bandgap产生。

3.根据权利要求2所述的一种高...

【技术特征摘要】

1.一种高负压转换电路，其特征在于，包括pmos管s1、nmos管s2、电感l、电阻rdcr、电阻resr、电阻rl、电阻rf1、电阻rf2、电容cout、具有补偿网络的误差放大器、时钟和斜坡信号产生器osc、比较器comp1、逻辑电路与死区模块以及电平转换器levelshift；所述逻辑电路与死区模块包括驱动pmos管s1的驱动电路p_dri和驱动nmos管s2的驱动电路n_dri；

2.根据权利要求1所述的一种高负压转换电路，其特征在于，还包括带隙基准电路bandgap，所述基准电压vref由所述带隙基准电路bandgap产生。

3.根据权利要求2所述的一种高负压转换电路，其特征在于，所述带隙基准电路bandgap包括稳压二极管zd、电阻ra、电阻ra、电阻rb、电容cc、运算放大器amp、滤波电容ca、滤波电容cb、nmos管mn、nmos管mb、nmos管nm6、nmos管nm7、nmos管nm10、nmos管nm11、nmos管nm12、pmos管nm8、pmos管nm9、pmos管nm5、pmos管nm3、pmos管nm1、pmos管nm4、pmos管nm2、pmos管nm13、pmos管nm14、pmos管nm15、pmos管nm16、pnp型三极管q1、pnp型三极管q2以及pnp型三极管q3；

4.根据权利要求3所述的一种高负压转换电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹富强，高旭，李文元，
申请(专利权)人：武汉派思半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：