【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料制造,具体涉及一种团聚多晶金刚石磨粒的制备方法及应用。
技术介绍
1、目前,宽禁带第三代半导体sic单晶晶圆的加工包括切割、粗研磨、精研磨和抛光等工艺。由于sic硬度高是典型的硬脆材料,研磨工艺必须使用金刚石微粉研磨液。粗研磨工艺采用大粒径金刚石微粉研磨液,能够以高的材料去除速率(mrr)去除切割工艺产生的深的表面/亚表面损伤层,使晶圆厚度、翘曲度和平行度达标。精研磨工艺采用小粒径金刚石微粉研磨液,去除粗研磨工艺产生的表面划痕和浅的亚表面损伤层,达较低的表面粗糙度,但mrr低且加工时间长。
2、如何将粗研磨和精研磨工艺合二为一是改进现有研磨工艺的方向。目标是研磨加工能够同时达到较高的mrr和较低的表面粗糙度。采用粘结剂将金刚石细粉粘在一起形成类球形的团聚磨粒是实现目标的可行方法。原因在于,与同粒径的金刚石单晶磨粒相比,团聚磨粒由每个金刚石细粉构成的切削刃更小,其在表面的分布密度也更大更均匀;在相同研磨压力下,团聚磨粒表面每个切削刃与晶圆表面接触压力更小、刺入晶面更浅,以韧性切削方式进行材料去除,避免了产生较
...【技术保护点】
1.一种团聚多晶金刚石磨粒的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
2.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述多晶金刚石微粉的粒径中值为1~7μm;
3.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述的有机液中,按质量百分比计,多晶金刚石微粉占10~50%;热固性树脂占1~25%;有机溶剂占25~85%;
4.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,S2中,有机液滴入的滴加速度为5~100mL/min;
5.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,S2中,所述恒温的温度为60~95℃;
6.根据权利要求1所
...【技术特征摘要】
1.一种团聚多晶金刚石磨粒的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
2.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述多晶金刚石微粉的粒径中值为1~7μm;
3.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述的有机液中,按质量百分比计,多晶金刚石微粉占10~50%;热固性树脂占1~25%;有机溶剂占25~85%;
4.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,s2中,有机液滴入的滴加速度为5~100ml/min;
5.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,s2中,所述恒温的温度为60~95℃;
6.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,s3中,多晶金刚石微粉水溶液中多晶金刚石微粉的用量为...
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