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一种高拉伸高稳定性n型PBFDO半导体薄膜及其制备方法与应用技术

技术编号:46413337 阅读:8 留言:0更新日期:2025-09-16 20:01
本发明专利技术公开了一种高拉伸高稳定性n型PBFDO半导体薄膜及其制备方法与应用,涉及柔性电子技术领域。所述高拉伸高稳定性n型PBFDO半导体薄膜的制备方法,包括以下步骤:将PBFDO溶液、Capstone FS‑30、助溶剂和聚乙二醇混合,得到混合溶液;将所述混合溶液制备成膜,得到所述高拉伸高稳定性n型PBFDO半导体薄膜。本发明专利技术的n型PBFDO半导体薄膜在具备高拉伸、高稳定性的同时依然能保持较高的导电性,可用于制备高性能可拉伸有机热电器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及柔性电子,特别是涉及一种高拉伸高稳定性n型pbfdo半导体薄膜及其制备方法与应用。


技术介绍

1、近年来,有机电子领域的前沿研究热点正逐步转向可穿戴柔性电子领域的开发与应用,其在人机交互界面与生物集成领域展现出独特的技术优势。在该类器件中,通过p型与n型聚合物半导体材料的协同工作可实现高效能量转换与信号传输。然而尽管p型导电高分子材料已取得突破性进展,但兼具优异电学性能与本征可拉伸性的n型导电高分子却极度匮乏,这一瓶颈严重制约着柔性电子器件的性能突破与产业化应用。

2、以pbfdo为例,该n型高分子虽展现出卓越的载流子迁移率,但其刚性大共轭平面结构与高度结晶特性导致成膜性能差、拉伸性差等关键缺陷,难以满足本征可拉伸器件的力学要求。而且,现有改性技术中力学性能的提高往往伴随着导电率的大幅下降。因此,如何制备高拉伸、高稳定性的pbfdo薄膜,且同时兼顾其导电性,使其导电性依然维持在较高水平,已成为柔性电子领域亟待攻克的研究重点。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种高拉伸高稳定性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高拉伸高稳定性n型PBFDO半导体薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述助溶剂包括甲酰胺;

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述PBFDO溶液的浓度为10mg/mL。

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述PBFDO溶液中含有的PBFDO与所述助溶剂的质量比为5-1:1-5;

5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述将混合溶液制备成膜的方法包括旋涂法、浇铸法或打印法。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述旋涂法包括:将所述混合...

【技术特征摘要】

1.一种高拉伸高稳定性n型pbfdo半导体薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述助溶剂包括甲酰胺;

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述pbfdo溶液的浓度为10mg/ml。

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述pbfdo溶液中含有的pbfdo与所述助溶剂的质量比为5-1:1-5;

5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述将混合溶液制备成膜的方法包括旋涂法、浇铸法或打印法。

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【专利技术属性】
技术研发人员:王以轩孙明源赵雅茹胡文平
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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