【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于噪声控制，尤其涉及一种用于管道内中低频降噪的声子晶体消声器及其声学特性计算方法。
技术介绍
1、在工业领域，管道系统低频和宽带噪声的控制一直是研究人员关注的重点，采用小尺寸结构获得低频和宽频带的声衰减也是一项重要的挑战。作为一种抗性消声器，亥姆霍兹共振器在其谐振频率的窄带中具有较高的传递损失，且其谐振频率主要取决于几何尺寸，通常被看作是低频和窄带噪声衰减的首选。为实现管道系统中的低频宽频带噪声衰减，很多研究致力于改进亥姆霍兹消声器的颈部和腔体结构。然而，对于亥姆霍兹消声器多数来说，仍旧需要较大的外部尺寸才能够满足低频噪声的衰减，这不利于实际应用。可以考虑在消声器结构中引入膜或者薄板结构，通过声结构耦合声能被转化为弯曲波，之后通过辐射反射声波或内部摩擦损失能量，从而利用小尺寸结构实现对低频噪声的控制。在此基础上，还需考虑进一步增强低频降噪强度、拓宽低频降噪频带范围。
2、局域共振声子晶体基于声学共振结构，在共振频率附近产生局域共振带隙，可以产生衰减声波的局域共振带隙。假如一种声子晶体结构中同时包含多种声共振机制，...
【技术保护点】
1.一种用于管道内中低频降噪的声子晶体消声器，其特征在于，包括：
2.一种根据权利要求1所述的用于管道内中低频降噪的声子晶体消声器的声学特性计算方法，其特征在于，包括：
3.如权利要求2所述的用于管道内中低频降噪的声子晶体消声器的声学特性计算方法，其特征在于，基于所述动力学方程获得矩形薄板表面的声阻抗模型包括：
4.如权利要求2所述的用于管道内中低频降噪的声子晶体消声器的声学特性计算方法，其特征在于，根据单个消声器颈部3点到消声器内底部7点处声压和质量速度传递矩阵T3，获得单个亥姆霍兹消声器的声阻抗模型包括：
5.如权利...
【技术特征摘要】
1.一种用于管道内中低频降噪的声子晶体消声器，其特征在于，包括：
2.一种根据权利要求1所述的用于管道内中低频降噪的声子晶体消声器的声学特性计算方法，其特征在于，包括：
3.如权利要求2所述的用于管道内中低频降噪的声子晶体消声器的声学特性计算方法，其特征在于，基于所述动力学方程获得矩形薄板表面的声阻抗模型包括：
4.如权利要求2所述的用于管道内中低频降噪的声子晶体消声器的声学特性计算方法，其特征在于，根据单个消声器颈部3点到消声器内底部7点处声压和质量速度传递矩阵t3，获得单个亥姆霍兹消声器的声阻抗模型包括：
5.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘盼学，左曙光，吴旭东，申水文，陈立辉，
申请(专利权)人：河北师范大学，
类型：发明
国别省市：
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